[發(fā)明專利]延長(zhǎng)多層單元閃存使用壽命的方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200810231888.4 | 申請(qǐng)日： | 2008-10-24 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN101393776A | 公開（公告）日： | 2009-03-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 陳淮琰;陳國(guó)強(qiáng) | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 無(wú)敵科技（西安）有限公司 |
| 主分類號(hào)： | G11C29/00 | 分類號(hào)： | G11C29/00;G11C16/00 |
| 代理公司： | 西安智邦專利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人： | 商宇科 |
| 地址： | 710075陜西省*** | 國(guó)省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 延長(zhǎng) 多層 單元 閃存 使用壽命 方法 | ||
1.一種延長(zhǎng)多層單元閃存使用壽命的方法，其特征在于：該方法包含下列步驟：
1)提供多層單元閃存，包含記憶區(qū)塊；
2)讀取記憶區(qū)塊所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)；
3)以錯(cuò)誤校正碼單元對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行錯(cuò)誤校正；
4)當(dāng)數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤個(gè)數(shù)超過(guò)默認(rèn)值，抹除記憶區(qū)塊的數(shù)據(jù)；
5)重新寫入數(shù)據(jù)至記憶區(qū)塊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的延長(zhǎng)多層單元閃存使用壽命的方法，其特征在于：所述默認(rèn)值小于錯(cuò)誤校正碼單元校正錯(cuò)誤個(gè)數(shù)的最大值。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的延長(zhǎng)多層單元閃存使用壽命的方法，其特征在于：所述默認(rèn)值為錯(cuò)誤校正碼單元校正錯(cuò)誤個(gè)數(shù)的最大值乘以特定值。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的延長(zhǎng)多層單元閃存使用壽命的方法，其特征在于：所述默認(rèn)值為錯(cuò)誤校正碼單元校正錯(cuò)誤個(gè)數(shù)的最大值除以特定值。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的延長(zhǎng)多層單元閃存使用壽命的方法，其特征在于：所述默認(rèn)值隨著讀取記憶區(qū)塊的次數(shù)增加而逐漸降低。?
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