[發(fā)明專利]有機電致發(fā)光器件及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810227260.7
• 申請日: 2008-11-25
• 公開（公告）號: CN101740726A
• 公開（公告）日: 2010-06-16
• 發(fā)明（設計）人: 王玉林
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;H01L51/50
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 劉芳

1.一種有機電致發(fā)光器件制造方法，其特征在于，包括：

步驟1、在基板上形成第一電極；

步驟2、在形成有所述第一電極的基板上連續(xù)形成非光敏性有機絕緣材料和正性光刻膠，采用能夠形成絕緣層圖形的掩模板對所述正性光刻膠進行曝光，然后顯影和刻蝕，并保留正性光刻膠，形成絕緣層圖形；

步驟3、在經過所述步驟2的基板上形成正性光刻膠，采用能夠形成隔離柱的掩模板對所述步驟3中形成的正性光刻膠進行曝光和顯影，形成隔離柱圖形；步驟3中形成的正性光刻膠的材料與步驟2中形成的正性光刻膠材料相同；

步驟4、在經過所述步驟3之后的基板上形成有機材料層；

步驟5、在經過所述步驟4之后的基板上形成第二電極。

2.根據權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件制造方法，其特征在于，所述步驟2具體包括：在形成有所述第一電極的基板上形成非光敏性有機絕緣材料，對所述非光敏性有機絕緣材料預烘烤，再在所述非光敏性有機絕緣材料上形成正性光刻膠，對所述正性光刻膠進行預烘烤，采用能夠形成絕緣層圖形的掩模板對所述正性光刻膠進行曝光，然后顯影和刻蝕，并保留所述正性光刻膠，形成絕緣層圖形；

在220到300攝氏度的溫度下對所述基板烘烤30到60分鐘。

3.根據權利要求2所述的有機電致發(fā)光器件制造方法，其特征在于，在所述非光敏性有機絕緣材料上形成正性光刻膠具體為：在所述非光敏性有機絕緣材料上旋涂正性光刻膠。

4.根據權利要求1或2所述的有機電致發(fā)光器件制造方法，其特征在于，所述步驟1具體為：在基板上形成相互平行的條狀的第一電極。

5.一種有機電致發(fā)光器件，其特征在于，包括：

第一電極，設置在基板上；?

絕緣層，設置在形成有所述第一電極的基板上，所述絕緣層的材料為非光敏性有機絕緣材料；

正性光刻膠，設置在所述絕緣層上；

隔離柱，設置在所述正性光刻膠上，所述隔離柱的材料與所述正性光刻膠相同；

有機材料層，形成在所述隔離柱、正性光刻膠以及所述第一電極上；

第二電極，形成在所述有機材料層上。?