[發明專利]一種多晶硅的純度檢測方法及裝置無效
| 申請號: | 200810223000.2 | 申請日: | 2008-09-25 |
| 公開(公告)號: | CN101685048A | 公開(公告)日: | 2010-03-31 |
| 發明(設計)人: | 李核;田俊;陳紅雨 | 申請(專利權)人: | 華南師范大學 |
| 主分類號: | G01N1/28 | 分類號: | G01N1/28 |
| 代理公司: | 北京凱特來知識產權代理有限公司 | 代理人: | 鄭立明 |
| 地址: | 510006廣*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 多晶 純度 檢測 方法 裝置 | ||
1.一種多晶硅的純度檢測方法,其特征在于,所述方法包括:
A、將硅粉混合均勻后,用二次去離子水洗滌2~5次,然后烘干 至恒重;
B、將烘干后的硅粉放入Teflon盤子中,加水潤濕樣品,并加入 0.3mL~1mL濃度為2.5g/L的多羥基化合物溶液;
C、將所述Teflon盤子放置在Teflon容器上并放置于密封體中,在 所述密封體底部加入7mL~10mL優級純度的HF和2mL~3mL優級 純度的HNO3,密封所述密封體后加熱到110~120℃;所述密封體為 耐熱耐酸腐蝕的密閉容器;
D、當硅粉全部消解完全,打開所述密封體并揮發至干燥后,向 所述Teflon盤子內加入5mL~10mL?HNO3溶解殘渣后,轉移至塑料容 量瓶;
所述5mL~10mL?HNO3為HNO3與水的體積比為1:1的HNO3;
E、用二次去離子水對所述塑料容量瓶定容后,測定雜質元素的 含量;
所述多羥基化合物為甘露醇或甘油。
2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法在進行步 驟E之前還包括:將所述Teflon盤子用二次去離子水洗滌2~5次并注 入至所述塑料容量瓶。
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