[發明專利]一種雙端口靜態隨機存取存儲器單元

有效

• 申請號: 200810222331.4
• 申請日: 2008-09-17
• 公開（公告）號: CN101677016A
• 公開（公告）日: 2010-03-24
• 發明（設計）人: 高雷聲;周玉梅;蔣見花
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: G11C11/413
• 分類號: G11C11/413;G11C11/416;G11C11/419
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 周國城

1.一種雙端口靜態隨機存取存儲器單元，其特征在于，包括：

一寫入電路，具有兩個作為傳輸門的PMOS晶體管，根據字線的控制 信號，將來自位線的輸入數據信號寫入；

一數據存儲電路，包括四個晶體管，由兩個反相器構成鎖存電路，用 于通過所述寫入電路存儲來自外部的輸入數據信號；

一讀取電路，包括兩個NMOS晶體管，用于根據讀選擇控制信號， 讀取所述數據存儲電路存儲的輸入數據信號；

其中，所述數據存儲電路包括：第一NMOS管(N1)，其柵極與第一 PMOS管(P3)的另一個端口相連接，標記為net1，漏極和第二PMOS管 (P4)的另一個端口相連接，標記為net2，源極和襯底接地；第二NMOS 管(N2)，其柵極接net2，漏極接net1，源極和襯底接地；第三PMOS管 (P1)，其柵極接net1，漏極接net2，源極和襯底接電壓VDD；第四PMOS 管(P2)，其柵極接net2，漏極接net1，源極和襯底接電壓VDD；

所述寫入電路包括：第一PMOS管(P3)，其柵極與字線WL相連接， 一個端口與位線BL連接，另一個端口與所述數據存儲電路中第一NMOS 管(N1)的柵極、第二NMOS管(N2)的漏極、第三PMOS管(P1)的 柵極、第四PMOS管(P2)的漏極相連接；第二PMOS管(P4)，其柵極 與字線WL相連接，一個端口與補充位線BLB連接，另一個端口與所述 數據存儲電路中第一NMOS管(N1)的漏極、第二NMOS管(N2)的柵 極、第三PMOS管(P1)的漏極、第四PMOS管(P2)的柵極相連接；

所述讀取電路包括：第三NMOS管(N3)，其柵極接net2，源極和襯 底接地；第四NMOS管(N4)，其柵極與讀選擇控制線RS相連接，漏極 與讀數據線RD相連接，源極與所述第三NMOS管(N3)的漏極相連接， 標記為net3，襯底接地。