[發(fā)明專利]晶圓檢測(cè)機(jī)臺(tái)用固定/釋放輔助裝置、該檢測(cè)機(jī)臺(tái)及方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200810218792.4 | 申請(qǐng)日: | 2008-10-31 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101393885A | 公開(公告)日: | 2009-03-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 曾一士;陳正雄 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中茂電子(深圳)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/683 | 分類號(hào): | H01L21/683;H01L21/66;G01R1/04;G01R31/26 |
| 代理公司: | 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人: | 曾旻輝 |
| 地址: | 518054廣東省深圳市*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 檢測(cè) 機(jī)臺(tái) 固定 釋放 輔助 裝置 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及到一種固定/釋放輔助裝置,尤其是一種晶圓檢測(cè)機(jī)臺(tái)用固定/釋放輔助裝置、該檢測(cè)機(jī)臺(tái)及方法。
背景技術(shù)
隨著科技業(yè)的進(jìn)步,例如LED晶圓,厚度已由原本的200μm逐漸變薄至150μm以下,遂令晶圓因制造過(guò)程中的熱應(yīng)力等張力因素,產(chǎn)生約5μm的不平整翹曲。而在目前現(xiàn)有測(cè)試過(guò)程中,多是將待測(cè)晶圓置放在承載裝置的承載面上,將承載裝置通氣連接至具真空幫浦,使得承載面上的氣孔處產(chǎn)生負(fù)壓,吸附待測(cè)晶圓,并通過(guò)上方的點(diǎn)測(cè)裝置,導(dǎo)電接觸該晶圓中的個(gè)別晶粒,藉以致能點(diǎn)亮各晶粒并感測(cè)其發(fā)光。
然而,上述翹曲現(xiàn)象將使得點(diǎn)測(cè)裝置無(wú)法正確導(dǎo)電接觸至各晶粒高度,而接觸不良又將使檢測(cè)無(wú)法正確進(jìn)行;為使晶圓平整而解決上述問題,目前業(yè)界多以操作人員人工施壓的方式,迫使晶圓貼緊于承載面;或增大承載裝置所連接的真空幫浦抽吸力道,強(qiáng)迫晶圓被強(qiáng)力吸取至平貼承載面。
但無(wú)論由人工施壓或強(qiáng)力抽吸時(shí),均可能因?yàn)槭┝Σ痪鶆颉⑹┘訅毫^(guò)快、待測(cè)晶圓本身的結(jié)構(gòu)些許瑕疵產(chǎn)生應(yīng)力集中現(xiàn)象,待測(cè)晶圓因而破片。甚至在關(guān)閉真空幫浦而讓晶圓回復(fù)翹曲型態(tài)時(shí),晶圓會(huì)因?yàn)檠杆倩謴?fù)彎曲的形狀而導(dǎo)致破片。如此,不僅良率隨之下降,成本同步提高;清理破片也會(huì)耽誤后續(xù)作業(yè),使得產(chǎn)出效率明顯降低。
因此,若能自動(dòng)化施加壓力,使晶圓在不易碎裂情況下,平坦被吸附固定于承載裝置的承載面上,不僅提升檢測(cè)系統(tǒng)的可靠度,也顯著提高產(chǎn)出效率,更可降低制造成本,實(shí)為最佳的解決方案。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種利用中央較厚的撓性物,在置放晶圓時(shí)逐步由中央壓平待測(cè)晶圓,使翹曲晶圓逐步受力而貼平承載面,并受承載面氣孔的吸附而不易碎裂的晶圓檢測(cè)機(jī)臺(tái)用固定/釋放輔助裝置。
本發(fā)明另一目的,在于提供一種能穩(wěn)定吸附晶圓使其易受檢測(cè)的晶圓檢測(cè)機(jī)臺(tái)用固定/釋放輔助裝置。
本發(fā)明的再一目的,在于提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單并可充分自動(dòng)化而增加測(cè)試速度的晶圓檢測(cè)機(jī)臺(tái)。
本發(fā)明的又一目的,在于提供一種減少晶圓損壞機(jī)率、提升產(chǎn)出良率的晶圓檢測(cè)機(jī)臺(tái)。
本發(fā)明的又另一目的,在于提供一種可自動(dòng)化作業(yè)、有效提升檢測(cè)效率的晶圓檢測(cè)方法。
本發(fā)明的又再一目的,在于提供一種避免無(wú)謂破片、有效增加產(chǎn)出良率的晶圓檢測(cè)方法。
為實(shí)現(xiàn)以上目的,本發(fā)明采取了以下的技術(shù)方案:一種晶圓檢測(cè)機(jī)臺(tái)用固定/釋放輔助裝置,其中該機(jī)臺(tái)包含具有承載裝置的基座及設(shè)置于該基座的測(cè)試裝置,該承載裝置具有供承載該待測(cè)晶圓、并形成有復(fù)數(shù)個(gè)氣孔的承載面,并通氣連接至排氣幫浦,該固定/釋放輔助裝置包含:包括中央部分及厚度低于該中央部分的周邊部分的撓性單元;及用以在遠(yuǎn)離該承載裝置的預(yù)備位置,及使該撓性單元該中央部分與該周邊部分被抵壓至該待測(cè)晶圓、并形變至厚度實(shí)質(zhì)相等的迫緊位置間移動(dòng)該撓性單元的移動(dòng)單元。
本發(fā)明應(yīng)用該輔助裝置的晶圓檢測(cè)機(jī)臺(tái),則包含具有承載裝置的基座,該承載裝置具有供承載該待測(cè)晶圓、并形成有復(fù)數(shù)個(gè)氣孔的承載面,并通氣連接至排氣幫浦;設(shè)置于該基座的測(cè)試裝置;及設(shè)置于該基座的固定/釋放輔助裝置,包括具有中央部分及厚度低于該中央部分的周邊部分的撓性單元;及用以在遠(yuǎn)離該承載裝置的預(yù)備位置,及使該撓性單元該中央部分與該周邊部分被抵壓至該待測(cè)晶圓、并形變至厚度實(shí)質(zhì)相等的迫緊位置間移動(dòng)該撓性單元的移動(dòng)單元。具有承載裝置的基座;設(shè)置于該基座的測(cè)試裝置,該承載裝置具有供承載該待測(cè)晶圓、并形成有復(fù)數(shù)個(gè)氣孔的承載面,并通氣連接至排氣幫浦;及固定/釋放輔助裝置,包括具有中央部分及厚度低于該中央部分的周邊部分的撓性單元;及用以在遠(yuǎn)離該承載裝置的預(yù)備位置,及使該撓性單元該中央部分與該周邊部分被抵壓至該待測(cè)晶圓、并形變至厚度實(shí)質(zhì)相等的迫緊位置間移動(dòng)該撓性單元的移動(dòng)單元。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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