[發明專利]電容式觸控屏及其制造方法無效
| 申請號: | 200810218271.9 | 申請日: | 2008-12-08 |
| 公開(公告)號: | CN101441545A | 公開(公告)日: | 2009-05-27 |
| 發明(設計)人: | 何強民;毛利良;劉錫剛;賈文;傅志敏;黃受林 | 申請(專利權)人: | 中國南玻集團股份有限公司 |
| 主分類號: | G06F3/044 | 分類號: | G06F3/044 |
| 代理公司: | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 | 代理人: | 曾旻輝 |
| 地址: | 518067廣東省*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電容 式觸控屏 及其 制造 方法 | ||
1、一種電容式觸控屏,包括基板,其特征在于,還包括設置在基板同側的ITO層、絕緣層、電路層和保護層,所述ITO層由多根相互平行的第一軸線跡和多根相互平行的第二軸線跡交叉組成,所述第一軸線跡與第二軸線跡相互垂直設置;每個所述第一軸線跡被與其相交的多根第二軸線跡隔斷成多個單元,同一第一軸線跡中相鄰的兩單元通過金屬橋電連接,金屬橋和第二軸線跡之間設有將兩者絕緣開的絕緣塊。
2、根據權利要求1所述的電容式觸控屏,其特征在于,所述金屬橋位于電路層之中。
3、根據權利要求1所述的電容式觸控屏,其特征在于,所述絕緣塊位于絕緣層之中。
4、根據權利要求1所述的電容式觸控屏,其特征在于,所述金屬橋與第二軸線跡重疊處的輪廓被絕緣塊的輪廓所包容。
5、一種如權利要求1所述電容式觸控屏的加工方法,其特征在于,包括以下步驟:
S10、準備基板,在基板的加工側面上濺鍍ITO層,并按照預設圖案通過施膠、顯影、曝光、刻蝕和剝膠的工序加工出第二軸線跡和被第二軸線跡隔斷為多個單元的第一軸線跡;
S30、在第一軸線跡和第二軸線跡的相交處位于第二軸線跡上加工出預設圖案的絕緣塊;
S50、按照預設圖案加工出電路層,并在同一第一軸線跡中相鄰的兩單元之間加工出金屬橋;
S70、涂覆保護層。
6、根據權利要求5所述電容式觸控屏的加工方法,其特征在于,所述步驟S30中通過設有預設圖案的掩膜板覆蓋在ITO層上進行濺鍍,使得絕緣材料在第一軸線跡和第二軸線跡的相交處形成所述絕緣塊。
7、根據權利要求5所述電容式觸控屏的加工方法,其特征在于,所述步驟S30中先在ITO層上涂覆感光絕緣材料,再通過設有預設圖案的取圖罩板曝光、顯影后形成所述絕緣塊。
8、根據權利要求5所述電容式觸控屏的加工方法,其特征在于,所述步驟S50包括先濺鍍電路層,再按照預設圖案通過施膠、曝光、顯影、刻蝕和剝膠的工序加工出所述金屬橋。
9、根據權利要求5所述電容式觸控屏的加工方法,其特征在于,所述步驟S50中通過設有預設圖案的掩膜板覆蓋在基板上進行金屬濺鍍形成所述金屬橋。
10、一種如權利要求1所述電容式觸控屏的加工方法,其特征在于,包括以下步驟:
S20、準備基板,在基板的加工側面上按照預設圖案加工出電路層,并在同一第一軸線跡中相鄰的兩單元之間預先加工出金屬橋;
S40、在第一軸線跡和第二軸線跡的相交處位于金屬橋上加工出預設圖案的絕緣塊;
S60、濺鍍ITO層,并按照預設圖案通過施膠、曝光、顯影、刻蝕和剝膠的工序加工出第二軸線跡和被第二軸線跡隔斷為多個單元的第一軸線跡;第一軸線跡的相鄰單元通過預先加工出的金屬橋電連接;
S80、涂覆保護層。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國南玻集團股份有限公司,未經中國南玻集團股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200810218271.9/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





