[發明專利]半導體裝置及其制造方法無效
| 申請號： | 200810215742.0 | 申請日： | 2008-09-09 |
| 公開（公告）號： | CN101388411A | 公開（公告）日： | 2009-03-18 |
| 發明（設計）人： | 土明正勝 | 申請（專利權）人： | 株式會社東芝 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/43;H01L27/092;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 | 代理人： | 許海蘭 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種半導體裝置，其特征在于，具備：
具有第1導電型的第1半導體區域的硅基板；和第1MOSFET，
該第1MOSFET具有：
與上述第1半導體區域有間隔地形成的第2導電型的第1源極/漏極區域；
在上述第1源極區域和上述第1漏極區域之間的上述第1半導體區域上形成的第1絕緣膜；
在上述第1絕緣膜上形成的第1柵極電極；
在上述第1柵極電極的側部形成的第1側壁絕緣膜；
第1單結晶硅層，在上述第1源極/漏極區域上形成，至少具有成為{111}面的表面；
第1NiSi層，至少在上述第1單結晶硅層上形成，且具有與上述第1側壁絕緣膜接觸的部分，上述部分與上述第1單結晶硅層的界面是上述第1單結晶硅層的{111}面；以及
與上述第1NiSi層接觸的第1TiN膜。
2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，
上述第1單結晶硅層具有與上述第1側壁絕緣膜對置且成為上述第1單結晶硅層的{111}面的側面，上述第1TiN膜設置在上述側面和上述第1側壁絕緣膜之間。
3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，
上述第1半導體區域的上表面是硅的{100}面。
4.一種半導體裝置，其特征在于，具備：
具有第1導電型的第1半導體區域的硅基板；和第1MOSFET，
該第1MOSFET具有：
與上述第1半導體區域有間隔地形成的第2導電型的第1源極/漏極區域；
在上述第1源極區域和上述第1漏極區域之間的上述第1半導體區域上形成的第1絕緣膜；
在上述第1絕緣膜上形成的第1柵極電極；
在上述第1柵極電極的側部形成的第1側壁絕緣膜；
第1單結晶硅層，在上述第1源極/漏極區域上形成，設有達到上述第1源極/漏極區域的多個第1溝，上述第1溝的側面成為{111}面；
上述第1單結晶硅層的至少{111}面上形成的第1NiSi層；以及
與上述第1NiSi層接觸的第1TiN膜。
5.根據權利要求4所述的半導體裝置，其特征在于，
上述第1半導體區域的上表面是硅的{110}面。
6.根據權利要求4所述的半導體裝置，其特征在于，
在上述第1溝的底部形成有含碳的硅氧化層。
7.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，
在上述第1單結晶硅層的{111}面上形成的上述第1NiSi層由單一或者多個單結晶體NiSi構成，各單結晶體NiSi的(100)面與上述第1單結晶硅層的{111}面平行。
8.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，
還具備包圍上述第1半導體區域的元件分離區域，上述第1單結晶硅層在上述元件分離區域上延伸。
9.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，
上述第1源極/漏極區域具備：第1擴散層區域，與上述柵極電極鄰接形成；第2擴散層區域，與上述第1擴散層區域相比，相對于上述柵極電極形成得更遠，而且與上述第1擴散層區域相比，結深度更深。
10.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，
上述第1柵極電極具備：在上述第1絕緣膜上形成的電荷蓄積膜；在上述電荷蓄積膜上形成的阻擋絕緣膜；以及在上述阻擋絕緣膜上形成的控制柵極電極。
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