[發明專利]DMOS晶體管及其制造方法

無效

• 申請號: 200810215630.5
• 申請日: 2008-09-08
• 公開（公告）號: CN101383289A
• 公開（公告）日: 2009-03-11
• 發明（設計）人: 金大榮
• 申請（專利權）人: 東部高科股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 李丙林;張 英

1.一種制造DMOS晶體管的方法，包括以下步驟:

(a)通過雜質注入在半導體襯底上形成P型阱或N型阱；

(b)在其中形成所述阱區的那部分所述半導體襯底上形成漂移區，所述漂移區的形成步驟包括注入與所述阱區的導電雜質相反的導電雜質；

(c)在所述漂移區內形成溝槽；

(d)在所述溝槽中形成柵氧化物和柵電極；以及

(e)形成源/漏區，所述源/漏區的形成步驟包括在所述柵電極的兩側注入與所述漂移區的導電雜質相同的導電雜質。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，在所述步驟(c)中，所述溝槽的深度比所述漂移區的深度深。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，在所述步驟(b)中，在所述半導體襯底中注入所述雜質之后實施熱處理，以將所述雜質離子擴散到所述漂移區中。

4.根據權利要求3所述的方法，其中，在大約1000℃到大約1150℃之間實施所述熱處理。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，在所述步驟(c)中，通過使用硬質掩膜蝕刻形成所述溝槽。

6.根據權利要求5所述的方法，其中，在所述步驟(c)中，所述溝槽的深度比所述漂移區的深度深。

7.一種DMOS晶體管，包括:

阱區，形成于具有預定下部結構的半導體襯底上；

柵氧化物，形成于在所述阱區中形成的溝槽的下部；

柵電極，形成于所述溝槽的上部；

漂移區，形成于所述柵電極外部的所述阱區中；以及

源/漏區，形成于所述柵電極兩側的所述漂移區中。

8.根據權利要求7所述的DMOS晶體管，其中，所述溝槽的深度比所述漂移區的深度深。

9.根據權利要求7所述的DMOS晶體管，其中，通過注入磷(P)離子，在大約1000℃到大約1150℃之間實施熱處理以及將所述磷離子擴散到所述區域中來形成所述漂移區。

10.根據權利要求7所述的DMOS晶體管，其中，所述溝槽為所述柵電極高度的大約1.4倍到大約2.0倍之間。

11.根據權利要求10所述DMOS晶體管，其中，所述溝槽為所述柵電極高度的大約1.7倍。