[發明專利]閃存及其制造方法

無效

• 申請號: 200810215629.2
• 申請日: 2008-09-08
• 公開（公告）號: CN101383354A
• 公開（公告）日: 2009-03-11
• 發明（設計）人: 樸圣根
• 申請（專利權）人: 東部高科股份有限公司
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115;H01L29/06;H01L21/8247;H01L21/336;H01L21/265
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 李丙林;張 英

1.一種閃存，包括：

淺溝槽隔離和有源區，形成在襯底中；

多個層疊柵，形成在所述有源區上；

第一離子注入區，以比所述淺溝槽隔離的深度小的深度形成在所述層疊柵之間的所述有源區處；

第二離子注入區，以比所述第一離子注入區的深度大的深度形成在所述層疊柵之間的有源區處；

第三離子注入區，以比所述淺溝槽隔離的深度大的深度形成在所述層疊柵之間的所述淺溝槽隔離和所述有源區的下部區域處；以及

淺注入區，形成在所述層疊柵之間的所述有源區的表面。

2.根據權利要求1所述的閃存，其中，每個層疊柵都具有比所述淺溝槽隔離的深度大的高度。

3.根據權利要求1所述的閃存，其中，所述第二離子注入區形成在所述第一離子注入區和所述第三離子注入區之間。

4.根據權利要求1所述的閃存，其中，所述第三離子注入區以直線連接至所述層疊柵之間的所述淺溝槽隔離和所述有源區的最下部分。

5.根據權利要求1所述的閃存，其中，所述淺注入區電連接至所述第一離子注入區的上側。

6.根據權利要求1所述的閃存，其中，所述第一、所述第二和所述第三離子注入區和所述淺注入區形成共源極。

7.一種制造閃存的方法，包括：

在襯底中形成限定有源區的淺溝槽隔離；

在所述有源區上形成多個層疊柵；

以比所述淺溝槽隔離的深度小的深度在所述層疊柵之間的所述有源區形成第一離子注入區；

以比所述第一離子注入區的深度大的深度在所述層疊柵之間的所述有源區形成第二離子注入區；

以比所述淺溝槽隔離的深度大的深度在所述層疊柵之間的所述淺溝槽隔離和所述有源區的下部區域形成第三離子注入區；以及然后

在所述層疊柵之間的所述有源區的表面形成淺注入區。

8.根據權利要求7所述的方法，其中，形成所述層疊柵包括以比所述淺溝槽隔離的深度大的高度形成所述層疊柵。

9.根據權利要求7所述的方法，其中，所述第三離子注入區被形成以直線連接至所述淺溝槽隔離和所述有源區的下部區域。

10.根據權利要求7所述的方法，其中，形成淺注入區包括在形成所述第一、所述第二和所述第三離子注入區之后實施選自由單元源極/漏極(CSD)工藝、高壓輕度摻雜漏極(HV?LDD)工藝和低壓輕度摻雜漏極(LV?LDD)工藝組成的組中的至少一種以暴露所述層疊柵之間的所述淺溝槽隔離和所述有源區。

11.一種制造閃存的方法，包括：

以第一深度在襯底中形成限定有源區的溝槽隔離；

順序實施用于以第二深度在所述有源區中形成第一離子注入區的第一離子注入工藝，用于以第三深度在所述有源區中形成第二離子注入區的第二離子注入工藝，以及用于以第四深度在所述有源區和所述溝槽隔離中形成第三離子注入區的第三離子注入工藝；以及然后

以第五深度在有源區形成淺注入區。

12.根據權利要求11所述的方法，其中，所述溝槽隔離包括淺溝槽隔離。

13.根據權利要求11所述的方法，其中，在形成所述溝槽隔離之后和實施所述第一離子注入工藝、所述第二離子注入工藝和所述第三離子注入工藝之前，進一步包括：

在所述有源區上形成多個層疊柵。

14.根據權利要求11所述的方法，其中：

所述第二深度小于所述第一深度；

所述第三深度小于所述第一深度但大于所述第二深度；

所述第四深度大于所述第一深度；以及

所述第五深度小于所述第二深度。