[發明專利]圖案形成方法

有效

• 申請號: 200810215456.4
• 申請日: 2008-08-15
• 公開（公告）號: CN101399050A
• 公開（公告）日: 2009-04-01
• 發明（設計）人: 木原尚子;稗田泰之;鐮田芳幸
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: G11B5/74
• 分類號: G11B5/74;G11B5/82;G11B5/84
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司
• 代理人: 于 輝

1.圖案形成方法，其特征在于包括：

在基材(11)上形成包含組合物的層(12)，所述組合物含有可以相分離為第一相和比第一相顯示更高的耐蝕刻性的第二相的二嵌段共聚物，所述第一相含有第一組分以及所述第二相含有第二組分；

使所述二嵌段共聚物經受相分離以獲得相分離的層(13)，由此形成由所述第一組分構成并且具有沿第一方向延展的圓柱體或者層狀構型的易蝕刻區域(14)；

在所述相分離的層上形成壓印抗蝕劑層(16)；

使用掩模圖案(17)對所述壓印抗蝕劑層進行壓印，以在所述壓印抗蝕劑層上形成沿與第一方向交叉的第二方向延展的并包含凸起(19)和凹陷(18)的不規則圖案；

從所述壓印抗蝕劑層選擇性地除去殘留在不規則圖案的每一凹陷底部的剩余抗蝕劑，由此僅剩下構成凸起的抗蝕劑，同時選擇性地從所述相分離的層除去第一組分以獲得含有第二組分的耐蝕刻的圖案(15)；和

不僅使用所述壓印抗蝕劑層的凸起而且還使用所述含有第二組分的耐蝕刻的圖案作為掩模來蝕刻所述基材。

2.根據權利要求1的方法，其特征在于進一步包括在基材上形成層之前，在基材上形成導向體(20)，并且其中所述第一方向是平行于所述導向體延展的方向。

3.根據權利要求1的方法，其特征在于所述二嵌段共聚物包括選自聚苯乙烯和聚丙烯酸酯的聚合物。

4.根據權利要求1的方法，其特征在于所述二嵌段共聚物包括選自聚甲基丙烯酸甲酯、聚(乙烯-交替-丙烯)、聚丁二烯、聚異戊二烯、聚乙烯基甲基醚、聚氧化乙烯、聚氧化丙烯和聚氧化丁烯的聚合物。

5.根據權利要求1的方法，其特征在于所述包含二嵌段共聚物的組合物包含硅化合物作為所述第二相中的組分。

6.根據權利要求5的方法，其特征在于所述硅化合物選自硅酸鹽、氫硅氧烷、甲基硅氧烷、氫硅倍半氧烷和甲基硅倍半氧烷。

7.根據權利要求1的方法，其特征在于進一步包括從所述基材除去耐蝕刻的圖案。

8.根據權利要求1的方法，其特征在于通過氧氣干蝕刻除去所述壓印抗蝕劑層的凹陷。

9.圖案形成方法，其特征在于包括：

在基材(11)上形成包含組合物的層(12)，所述組合物含有可以相分離為第一相和比第一相顯示更高的耐蝕刻性的第二相的二嵌段共聚物，所述第一相含有第一組分以及所述第二相含有第二組分；

使所述二嵌段共聚物經受相分離以獲得相分離的層(13)，由此形成由所述第一組分構成并且具有沿第一方向延展的圓柱體或者層狀構型的易蝕刻區域(14)；

從所述相分離的層除去第一組分以形成沿第一方向延展的并含有第二組分的耐蝕刻的圖案(15)；

在所述耐蝕刻的圖案上形成壓印抗蝕劑層(16)；

使用掩模圖案(17)對所述壓印抗蝕劑層進行壓印，以在所述壓印抗蝕劑層上形成沿與第一方向交叉的第二方向延展的并包含凸起(19)和凹陷(18)的不規則圖案；

從所述壓印抗蝕劑層選擇性地除去殘留在不規則圖案的每一凹陷底部的剩余抗蝕劑，由此僅剩下構成凸起的抗蝕劑，和

不僅使用含有第二組分的耐蝕刻的圖案而且還使用壓印抗蝕劑層的凸起作為掩模來蝕刻所述基材。

10.根據權利要求9的方法，其特征在于進一步包括在基材上形成層之前，在基材上形成導向體(20)，并且其中所述第一方向是沿所述導向體的長度延展的方向。

11.根據權利要求9的方法，其特征在于所述二嵌段共聚物包括選自聚苯乙烯和聚丙烯酸酯的聚合物。

12.根據權利要求9的方法，其特征在于所述二嵌段共聚物包括選自聚甲基丙烯酸甲酯、聚(乙烯-交替-丙烯)、聚丁二烯、聚異戊二烯、聚乙烯基甲基醚，聚氧化乙烯、聚氧化丙烯和聚氧化丁烯的聚合物。

13.根據權利要求9的方法，其特征在于所述包含二嵌段共聚物的組合物包含硅化合物作為所述第二相中的組分。

14.根據權利要求13的方法，其特征在于所述硅化合物選自硅酸鹽、氫硅氧烷、甲基硅氧烷、氫硅倍半氧烷和甲基硅倍半氧烷。

15.根據權利要求9的方法，其特征在于進一步包括從基材上除去耐蝕刻的圖案。

16.根據權利要求9的方法，其特征在于通過氧氣干蝕刻除去壓印抗蝕劑層的凹陷。