[發明專利]在有源區上具有存儲節點的半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 200810215206.0
• 申請日: 2008-09-18
• 公開（公告）號: CN101442053A
• 公開（公告）日: 2009-05-27
• 發明（設計）人: 趙珉熙;樸承培
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/105
• 分類號: H01L27/105;H01L27/108;H01L27/115;H01L23/522;H01L21/8239;H01L21/8242;H01L21/8247;H01L21/768
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 穆德駿;陸錦華

優先權聲明

要求2007年9月18日向韓國知識產權局提交的韓國專利申請No. 10-2007-0094723的優先權，其主題通過引用結合于此。

技術領域

示范性實施例涉及一種在有源區上具有存儲節點的半導體器件及 其制造方法。

背景技術

通常，依照縮小的設計規則和增加的集成度來制造較小的半導體 器件。半導體器件可以包括有源區、柵極圖案、位線圖案、存儲節點 等。有源區可以在與柵極圖案或位線圖案成對角的方向上設置在半導 體襯底中以便增加每單位面積的集成度并縮小尺寸。但是，對角設置 沒有考慮到在行和列中水平和垂直地移動的半導體光刻裝置的對準系 統。換言之，難以精確地將柵極圖案、位線圖案和存儲節點與有源區 對準。因此，柵極圖案、位線圖案和存儲節點與有源區可能不具有良 好的電特性，并因而使半導體器件劣化。

發明內容

示范性實施例涉及半導體器件及其制造方法，更具體地涉及在有 源區上具有與位線圖案間隔開的存儲節點的半導體器件，及制造該半 導體器件的方法。

如上所述，示范性實施例涉及具有存儲節點的半導體器件，所述 存儲節點可以分別與有源區中的位線圖案的一側間隔不同的距離。而 且，在設計規則縮小時，示范性實施例涉及制造在有源區上具有被半 導體圖案占據的增加的面積的半導體器件。

各種實施例在半導體襯底中提供包括有源區的半導體器件，該有 源區具有順序地設置在有源區中的第一、第二和第三區域。無源區在 半導體襯底中并限定有源區。多個柵極圖案被部分地掩埋在有源區中 和無源區中，每個柵極圖案被安置在第一與第二區域之間或第二與第 三區域之間，與有源區成直角地相交，并穿過有源區和無源區。位線 圖案在柵極圖案上，成直角地與柵極圖案相交。位線圖案與無源區重 疊并包括電連接到有源區的第二區域的預定區域。層間絕緣層覆蓋柵 極圖案并包圍位線圖案以暴露位線圖案。多個存儲節點在層間絕緣層 上并電連接到有源區。第一存儲節點與第一區域和無源區重疊，并且 第二存儲節點與第三區域、無源區和位線圖案重疊。

第二存儲節點可以與有源區的第三區域上的位線圖案接觸。

有源區、柵極圖案、位線圖案和存儲節點可以位于在半導體襯底 的行與列的交叉點處。

該器件還可以包括與所述有源區相鄰的半導體襯底中的多個相鄰 的有源區。每個相鄰有源區可以包括順序地設置在相應的相鄰有源區 中的第一、第二和第三區域。有源區的第一、第二和第三區域可以分 別與位于半導體襯底的同一行中的相鄰有源區的第一、第二和第三區 域相對，并且有源區的第三區域可以與位于半導體襯底的同一行中的 相鄰有源區的第一區域相對。

柵極圖案可以在半導體襯底的至少一行中。位線圖案可以在半導 體襯底的列中。柵極圖案可以在至少一行與列的各個交叉點處成直角 地與位線圖案相交。

位線圖案可以至少部分地位于有源區與位于半導體襯底的同一行 中的相鄰有源區之間的無源區中。第一存儲節點可以至少部分地位于 有源區上并部分地與鄰近有源區的位線圖案重疊。

在半導體襯底的行與列之間的交叉點中，存儲節點可以被限定在 位線圖案與鄰近位線圖案之間并且相互之間對角地設置。而且，位線 圖案與鄰近位線圖案之間的存儲節點可以在有源區上相對于相鄰的有 源區形成Z形圖案。

在半導體襯底的行與列之間的交叉點中，相鄰位線圖案的存儲節 點可以被相互對角地安置在第一方向上的不同有源區中，并且相鄰的 位線圖案的存儲節點可以被兩兩相互對角地安置在垂直于第一方向的 第二方向上的每個有源區中。

各種實施例提供制造半導體器件的方法，包括在半導體襯底中形 成無源區以限定有源區，并在有源區和無源區中形成兩個柵極圖案以 便成直角地與有源區相交。在有源區上形成第一層間絕緣層以覆蓋柵 極圖案。在第一層間絕緣層上形成位線圖案以便成直角地與柵極圖案 相交，其中位線圖案在鄰近有源區的無源區上形成并穿過第一層間絕 緣層電連接到柵極圖案之間的有源區。在第一層間絕緣層上形成第二 層間絕緣層以覆蓋位線圖案。形成存儲節點以便與鄰近柵極圖案的有 源區、無源區和位線圖案重疊，并且存儲節點穿過第一和第二層間絕 緣層電連接到鄰近柵極圖案的有源區。