[發明專利]在有源區上具有存儲節點的半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 200810215206.0
• 申請日: 2008-09-18
• 公開（公告）號: CN101442053A
• 公開（公告）日: 2009-05-27
• 發明（設計）人: 趙珉熙;樸承培
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/105
• 分類號: H01L27/105;H01L27/108;H01L27/115;H01L23/522;H01L21/8239;H01L21/8242;H01L21/8247;H01L21/768
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 穆德駿;陸錦華

1.一種半導體器件，包括：

半導體襯底中的有源區，所述有源區包括順序地設置在所述有源 區中的第一、第二和第三區域；

所述半導體襯底中限定所述有源區的無源區；

部分地掩埋在所述有源區和所述無源區中的多個柵極圖案，每個 柵極圖案安置在所述第一與所述第二區域之間或所述第二與所述第三 區域之間，成直角地與所述有源區相交，并且穿過所述有源區和所述 無源區；

所述柵極圖案上的位線圖案，所述位線圖案成直角地與所述柵極 圖案相交，所述位線圖案與所述無源區重疊并且包括電連接到所述有 源區的所述第二區域的預定區域；

層間絕緣層，所述層間絕緣層覆蓋所述柵極圖案并包圍所述位線 圖案以暴露所述位線圖案；以及

在所述層間絕緣層上并電連接到所述有源區的多個存儲節點，其 中第一存儲節點與所述第一區域和所述無源區重疊，并且第二存儲節 點與所述第三區域、所述無源區和所述位線圖案重疊。

2.根據權利要求1所述的器件，其中所述第二存儲節點與所述有 源區的所述第三區域上的所述位線圖案接觸。

3.根據權利要求2所述的器件，其中所述有源區、所述柵極圖案、 所述位線圖案和所述存儲節點位于所述半導體襯底的行與列的交叉點 處。

4.根據權利要求3所述的器件，還包括：

在所述半導體襯底中的與所述有源區相鄰的多個相鄰有源區，每 個相鄰有源區包括順序地設置在相應的相鄰有源區中的第一、第二和 第三區域，

其中所述有源區的所述第一、第二和第三區域分別與位于所述半 導體襯底的同一行中的相鄰有源區的所述第一、第二和第三區域相對， 并且其中所述有源區的所述第三區域與位于所述半導體襯底的同一列 中的相鄰有源區的所述第一區域相對。

5.根據權利要求4所述的器件，其中所述柵極圖案在所述半導體 襯底的至少一行中，所述位線圖案在所述半導體襯底的列中，并且所 述柵極圖案在所述至少一行與所述列的各個交叉點處成直角地與所述 位線圖案相交。

6.根據權利要求5所述的器件，其中所述位線圖案至少部分地位 于所述有源區與位于所述半導體襯底的同一行中的相鄰有源區之間的 所述無源區中。

7.根據權利要求6所述的器件，其中所述第一存儲節點至少部分 地位于所述有源區上，并且部分地與鄰近所述有源區的位線圖案重疊。

8.根據權利要求7所述的器件，其中在所述半導體襯底的行與列 中的交叉點中，存儲節點被限定在所述位線圖案與相鄰位線圖案之間 并且相互對角地設置。

9.根據權利要求8所述的器件，其中在所述半導體襯底的行與列 中的交叉點中，所述位線圖案與所述相鄰位線圖案之間的存儲節點在 所述有源區上形成關于所述相鄰有源區的Z形圖案。

10.根據權利要求9所述的器件，其中在所述半導體襯底的行與 列中的交叉點中，相鄰位線圖案的存儲節點被相互對角地安置在第一 方向上的不同有源區中，并且所述相鄰位線圖案的存儲節點被兩兩相 互對角地安置在垂直于所述第一方向的第二方向上的每個有源區上。

11.一種制造半導體器件的方法，包括：

在半導體襯底中形成無源區，以在所述襯底中限定有源區；

在所述有源區和所述無源區中形成兩個柵極圖案以成直角地與所 述有源區相交；

在所述有源區上形成第一層間絕緣層以覆蓋所述柵極圖案；

在所述第一層間絕緣層上形成位線圖案以成直角地與所述柵極圖 案相交，其中所述位線圖案在鄰近所述有源區的無源區上形成，并且 穿過所述第一層間絕緣層而電連接到所述柵極圖案之間的有源區；

在所述第一層間絕緣層上形成第二層間絕緣層以覆蓋所述位線圖 案；以及

形成存儲節點，所述存儲節點與鄰近所述柵極圖案、所述無源區 和所述位線圖案的有源區重疊，并且穿過所述第一和第二層間絕緣層 而電連接到鄰近所述柵極圖案的所述有源區。