[發(fā)明專利]半導(dǎo)體存儲裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810215038.5
• 申請日: 2008-09-04
• 公開（公告）號: CN101383181A
• 公開（公告）日: 2009-03-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李銀石;李康設(shè)
• 申請（專利權(quán)）人: 海力士半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號: G11C7/10
• 分類號: G11C7/10;G11C11/4093;G11C11/407
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 楊林森;康建峰

相關(guān)申請的交叉引用

本發(fā)明要求分別于2007年9月4日和2008年8月27日提交的韓國 專利申請?zhí)?0-2007-0089644和10-2008-0083862的優(yōu)先權(quán)，這些申請通 過引用全部結(jié)合于此。

背景技術(shù)

本主題涉及半導(dǎo)體存儲裝置，更具體地，涉及半導(dǎo)體存儲裝置的副孔 區(qū)(sub?hole?region)中的晶體管布局。

半導(dǎo)體存儲裝置，如動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)，包括接口區(qū)、 核心區(qū)、以及用于在接口區(qū)和核心區(qū)之間傳輸數(shù)據(jù)的分層數(shù)據(jù)總線。段輸 入/輸出線和局部輸入/輸出線設(shè)置在核心區(qū)，并且從接口區(qū)到核心區(qū)設(shè)置 全局輸入/輸出線。

單元陣列的配置和數(shù)據(jù)路徑根據(jù)半導(dǎo)體存儲裝置的尺寸和性能而變 化。

在傳統(tǒng)的單元陣列結(jié)構(gòu)中，存儲在多個單元中的數(shù)據(jù)通過相應(yīng)的位線 讀出放大器(BLSA)共享單個段輸入/輸出線。對于其中位線讀出放大器 陣列在上單元陣列和下單元陣列之間共享的共享位線讀出放大器結(jié)構(gòu)，存 在用于選擇性連接位線讀出放大器和上/下位線的位線連接器。因此，共 享位線讀出放大器的上、下單元陣列塊中的數(shù)據(jù)也可以共享段輸入/輸出 線。

段輸入/輸出線通過輸入/輸出開關(guān)連接到局部輸入/輸出線。這是為了 防止段輸入/輸出線受局部輸入/輸出線的很高的電容的影響。因此，所有 的段輸入/輸出線通過輸入/輸出開關(guān)連接到局部輸入/輸出線。

輸入/輸出開關(guān)設(shè)置在半導(dǎo)體存儲裝置中的副孔區(qū)中。副孔區(qū)是指水 平布置在上/下單元陣列之間的位線讀出放大器陣列與垂直布置在左/右單 元陣列之間的副字線驅(qū)動器陣列相互交叉的區(qū)。位線讀出放大器驅(qū)動電 路、位線控制電路和副字線控制電路、以及上述輸入/輸出開關(guān)設(shè)置在副 孔區(qū)中。

圖1A、圖1B和圖1C示出半導(dǎo)體存儲裝置的典型的存儲區(qū)架構(gòu)。圖 1A、圖1B和圖1C是單個圖的各部分。也就是說，圖1B的頂部與圖1A 的底部耦合，圖1B的底部與圖1C的頂部耦合，以形成單個圖。

參考圖1A、圖1B和圖1C，多個單元陣列(MAT)和副字線驅(qū)動器 陣列以矩陣形式設(shè)置。這里，為了方便，未示出位線讀出放大器陣列。

段輸入/輸出線SIO<0>/SIOB<0>和SIO<2>/SIOB<2>以及段輸入/輸 出線SIO<1>/SIOB<1>和SIO<3>/SIOB<3>分別在行方向上排列在單元陣 列MAT之上和之下。局部輸入/輸出線LIOU<0>/LIOBU<0>、 LIOU<1>/LIOBU<1>、LIOD<0>/LIOBD<0>和LIOD<1>/LIOBD<1>， 以及局部輸入/輸出線LIOU<2>/LIOBU<2>、LIOU<3>/LIOBU<3>、 LIOD<2>/LIOBD<2>和LIOD<3>/LIOBD<3>分別在列方向上排列在單 元陣列MAT之間。

即使僅僅考慮段輸入/輸出線SIO<0>/SIOB<0>、SIO<2>/SIOB<2>、 SIO<1>/SIOB<1>和SIO<3>/SIOB<3>以及局部輸入/輸出線 LIOU<0>/LIOBU<0>、LIOU<1>/LIOBU<1>、LIOD<0>/LIOBD<0>和 LIOD<1>/LIOBD<1>，根據(jù)存儲區(qū)，連接段輸入/輸出線和局部輸入/輸出 線的輸入/輸出開關(guān)(設(shè)置在副孔區(qū)中)的形狀也是不同的。

更具體地，中間存儲區(qū)包括用于連接段輸入輸出線SIO、SIOB和上 局部輸入/輸出線LIOU、LIOBU的第一輸入/輸出開關(guān)51A，以及用于連 接段輸入/輸出線SIO、SIOB和下局部輸入/輸出線LIOD、LIOBD的第 二輸入/輸出開關(guān)51B。

上存儲區(qū)僅僅包括用于連接段輸入/輸出線SIO、SIOB和上局部輸入 /輸出線LIOU、LIOBU的第一輸入/輸出開關(guān)51A。