[發(fā)明專利]基板保持裝置及保持方法、半導(dǎo)體制造裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810214301.9 | 申請日: | 2008-08-22 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101399217A | 公開(公告)日: | 2009-04-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 近藤圭祐 | 申請(專利權(quán))人: | 東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L21/683 | 分類號(hào): | H01L21/683;H01L21/677;H01L21/02;H01L21/00 |
| 代理公司: | 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 | 代理人: | 劉新宇;張會(huì)華 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 保持 裝置 方法 半導(dǎo)體 制造 存儲(chǔ) 介質(zhì) | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種在大氣環(huán)境中保持基板的基板保持裝置、基板保持方法、采用了基板保持裝置的半導(dǎo)體制造裝置以及存儲(chǔ)了對上述基板保持裝置的動(dòng)作進(jìn)行控制的程序的存儲(chǔ)介質(zhì)。?
背景技術(shù)
在制造半導(dǎo)體器件、液晶顯示裝置等平板(flat?panel)的工序中,將半導(dǎo)體晶圓(以下稱作晶圓)、玻璃基板這樣的基板收容在搬運(yùn)器上后將其搬入到半導(dǎo)體制造裝置(也包括平板的制造裝置)的搬入口處,利用該裝置內(nèi)的搬運(yùn)臂將基板自搬運(yùn)器上取出而搬運(yùn)到處理單元。?
作為上述半導(dǎo)體制造裝置的一個(gè)例子,有被稱作多室系統(tǒng)的裝置,該裝置包括大氣環(huán)境的第1搬運(yùn)室、真空環(huán)境的第2搬運(yùn)室、加載互鎖真空室(load?lock?chamber);上述第1搬運(yùn)室與上述搬入口相連接;上述第2搬運(yùn)室與進(jìn)行蝕刻處理、CVD(Chemical?Vapor?Deposition化學(xué)氣相沉積法)的成膜處理的多個(gè)處理單元相連接,為這些處理單元共用;上述加載互鎖真空室設(shè)置在第1搬運(yùn)室與第2搬運(yùn)室之間,用于切換真空環(huán)境以及大氣環(huán)境并使晶圓待機(jī)。在上述第1搬運(yùn)室、第2搬運(yùn)室中分別設(shè)有構(gòu)成為使其前端的晶圓保持部(拾取器)保持晶圓背面的多關(guān)節(jié)搬運(yùn)臂,另外,第1搬運(yùn)室與具有用于進(jìn)行晶圓對位的定位器(orientation)的校準(zhǔn)室相連接。上述定位器借助保持晶圓的中央背面的支架(pedestal)(平臺(tái))對晶圓進(jìn)行對位,使晶圓繞鉛直軸線旋轉(zhuǎn)后使形成在該晶圓周緣的槽口朝向規(guī)定的方向。?
自搬運(yùn)器搬出的晶圓在由定位器進(jìn)行對位后由各搬運(yùn)臂搬運(yùn)到處理單元接受處理,之后停留在加載互鎖真空室中被冷卻,之后再將晶圓搬回到搬運(yùn)器上。之所以這樣在將晶圓冷卻之后再搬回到搬運(yùn)器上,是因?yàn)楫?dāng)將高溫的晶圓搬入到搬運(yùn)器上時(shí),構(gòu)成搬運(yùn)器的成分有可能會(huì)成為顆粒飛散而附著在晶圓上。?
但是,事實(shí)上在被加熱到某一規(guī)定溫度的晶圓上很難附著顆粒,另外還有這樣的要求:在將晶圓搬運(yùn)到上述進(jìn)行CVD的處理單元之前,對晶圓進(jìn)行加熱,使附著的有機(jī)物飛散而將其除去,防止在所形成的膜中混入有雜質(zhì)以及縮短晶圓搬回到上述搬運(yùn)器之前、在加載互鎖真空室中的冷卻時(shí)間,從而來提高生產(chǎn)率。根據(jù)上述情況研究了,在搬運(yùn)臂以及定位器上設(shè)置具有晶圓的加熱部件和冷卻部件的溫度調(diào)整功能,在晶圓的搬運(yùn)過程中以及晶圓的對位過程中進(jìn)行溫度調(diào)整。?
另外,作為半導(dǎo)體制造裝置,除了多室系統(tǒng)之外還有在作為半導(dǎo)體制造工序之一的光致抗蝕劑工序中所使用的涂敷、顯影裝置。該涂敷、顯影裝置通常與曝光裝置相連接,在將抗蝕劑涂敷到晶圓上后,將晶圓搬入到曝光裝置中,曝光處理結(jié)束后對自曝光裝置搬回來的晶圓進(jìn)行顯影處理。在涂敷抗蝕劑之后、搬入到曝光裝置中之前,需要根據(jù)曝光裝置內(nèi)的溫度來將晶圓調(diào)整到規(guī)定的溫度例如23℃,另外,在涂敷抗蝕劑之后、曝光處理之前,需要利用上述定位器使晶圓對位。因而,通過在涂敷顯影裝置上設(shè)置具有上述溫度調(diào)整功能的定位器,可以同時(shí)進(jìn)行晶圓的對位和溫度調(diào)整,可以謀求提高生產(chǎn)率,因此很有利。?
作為構(gòu)成這樣的溫度調(diào)整功能的加熱部件,例如將片狀的電熱絲加熱器分別貼在搬運(yùn)臂的晶圓保持部與晶圓的接觸部分、定位器的支架的與晶圓的接觸部分,另外,作為構(gòu)成溫度?調(diào)整功能的冷卻部件,例如在與上述晶圓的接觸部分形成液體的制冷劑的流路,使該制冷劑在流路中流通。?
但是,為了將晶圓搬運(yùn)到半導(dǎo)體制造裝置的各室內(nèi),將搬運(yùn)臂的晶圓保持部的旋轉(zhuǎn)角度設(shè)得較大,并且為了檢測晶圓的槽口需要使定位器的支架至少旋轉(zhuǎn)360度,該旋轉(zhuǎn)角度也較大。這樣,在將上述加熱器安裝在旋轉(zhuǎn)角度大的定位器的支架上進(jìn)行配線時(shí),存在上述配線會(huì)因該旋轉(zhuǎn)而在地面拉拽,從而使配線磨損易斷的問題。另外,在將加熱器安裝在搬運(yùn)臂的晶圓保持部上時(shí),晶圓保持部的重量增加而施加向搬運(yùn)臂的各部的負(fù)荷變大,除了有可能增大零件的磨損之外,還可能因晶圓保持部的厚度增大而需要改變搬運(yùn)目的地的各單元的設(shè)計(jì),因此不實(shí)用。?
并且,在如上所述地在上述晶圓保持部以及上述支架上形成制冷劑流路的情況下,需要有防止制冷劑泄露的對策,因此不實(shí)用,另外,在上述晶圓保持部上形成有該流路的情況下,除了產(chǎn)生上述那樣的問題之外,還會(huì)有與設(shè)置加熱器的情況相同地、晶圓保持部的厚度以及重量增加這樣的問題。另外,在專利文獻(xiàn)1中雖然記載有關(guān)節(jié)型的搬運(yùn)臂,但未記載上述問題。?
專利文獻(xiàn)1:日本特開2000-72248?
發(fā)明內(nèi)容
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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