[發明專利]基板保持裝置及保持方法、半導體制造裝置及存儲介質無效
| 申請號: | 200810214301.9 | 申請日: | 2008-08-22 |
| 公開(公告)號: | CN101399217A | 公開(公告)日: | 2009-04-01 |
| 發明(設計)人: | 近藤圭祐 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L21/677;H01L21/02;H01L21/00 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所 | 代理人: | 劉新宇;張會華 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 保持 裝置 方法 半導體 制造 存儲 介質 | ||
1.一種基板保持裝置,其特征在于,包括基板保持部、凸 部、氣體排出口、氣體流路和溫度調整部;
上述基板保持部具有與基板背面相對的基板保持面;
上述凸部在上述基板保持面上設置有多個,用于支承各基 板的背面,并利用與基板之間的摩擦力來防止該基板相對于上 述基板保持面橫向打滑;
上述氣體排出口在上述基板保持面上開口,向基板背面排 出氣體;
上述氣體流路的一端與上述氣體排出口相連接,并且另一 端與用于將氣體供給到該氣體排出口的氣體供給源相連接;
上述溫度調整部對在上述氣體流路中流通的氣體進行溫度 調整;
基板保持裝置如下這樣保持基板:排出到基板背面的上述 氣體在基板保持面與基板之間的間隙中流動,利用該間隙的壓 力降低的伯努利效應向基板保持部吸引該基板。
2.根據權利要求1所述的基板保持裝置,其特征在于,該 基板保持裝置具有用于使上述基板保持部繞鉛直軸線自由旋轉 且自由進退的工作機構。
3.根據權利要求2所述的基板保持裝置,其特征在于,上 述工作機構與上述基板保持部共同構成關節型臂。
4.根據權利要求2或3所述的基板保持裝置,其特征在于, 在上述工作機構的內部形成有上述氣體流路。
5.根據權利要求1所述的基板保持裝置,其特征在于,上 述基板是半導體晶圓,上述基板保持部構成為用于檢測半導體 晶圓的朝向并使該朝向與預先設定的朝向一致的旋轉臺。
6.一種基板保持方法,其特征在于,包括以下工序:
自在基板保持面上開口的氣體排出口向載置在凸部上的基 板的背面排出氣體的工序,上述凸部在與設于基板保持部上的 基板背面相對的上述基板保持面上設置有多個,用于支承各基 板的背面,并利用與基板之間的摩擦力來防止該基板相對于上 述基板保持面橫向打滑;
利用溫度調整部對在氣體流路中流通的氣體進行溫度調整 的工序,上述氣體流路的一端與上述氣體排出口相連接,且其 另一端與氣體供給源相連接;
利用基板保持部保持基板的工序,排出到基板背面的上述 氣體在基板保持面與基板之間的間隙中流動,利用該間隙的壓 力降低的伯努利效應向保持部吸引該基板。
7.一種半導體制造裝置,其特征在于,包括大氣環境的第 1搬運室、加載互鎖真空室、真空處理單元、第1基板搬運部件 和第2基板搬運部件;
上述大氣環境的第1搬運室具有用于載置收容了基板的搬 運器的載置部;
上述加載互鎖真空室設置有載置基板的載置臺,分別切換 真空環境、大氣環境;
上述真空處理單元通過上述加載互鎖真空室與第1搬運室 相連接,用于在真空環境下對基板進行處理;
上述第1基板搬運部件設置在上述第1搬運室中,用于在搬 運器與加載互鎖真空室之間交接基板;
上述第2基板搬運部件用于在加載互鎖真空室與真空處理 單元之間交接基板;
上述第1基板搬運部件由權利要求1~4中任一項所述的基 板保持裝置構成。
8.一種半導體制造裝置,其特征在于,包括大氣環境的第 1搬運室、加載互鎖真空室、真空處理單元、第1基板搬運部件 和第2基板搬運部件;
上述大氣環境的第1搬運室具有用于載置收容了基板的搬 運器的載置部;
上述加載互鎖真空室設置有載置基板的載置臺,分別切換 真空環境、大氣環境;
上述真空處理單元通過上述加載互鎖真空室與第1搬運室 相連接,用于在真空環境下對基板進行處理;
上述第1基板搬運部件設置在上述第1搬運室中,用于在搬 運器與加載互鎖真空室之間交接基板;
上述第2基板搬運部件用于在加載互鎖真空室與真空處理 單元之間交接基板;
上述第1搬運室與具有用于進行基板對位的基板對位部件 的校準室相連接;
上述基板對位部件由權利要求5所述的基板保持裝置構 成。
9.根據權利要求7或8所述的半導體制造裝置,其特征在 于,在上述第1基板搬運部件中,與自搬運器取出基板時對基 板排出的氣體的溫度相比,在將基板搬回到搬運器時對基板排 出的氣體的溫度較低。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于東京毅力科創株式會社,未經東京毅力科創株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200810214301.9/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





