[發(fā)明專利]坩堝加熱裝置和包括該坩堝加熱裝置的淀積裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810214020.3
• 申請日: 2008-08-22
• 公開（公告）號: CN101372736A
• 公開（公告）日: 2009-02-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 魯碩原;姜泰旻;成鎮(zhèn)旭;李相奉;李承默;樸鎮(zhèn)佑;金善浩;鄭明鐘
• 申請（專利權(quán)）人: 三星SDI株式會社
• 主分類號: C23C14/12
• 分類號: C23C14/12;C23C14/26;F27B14/06;F27B14/20
• 代理公司: 北京德琦知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 羅正云;王誠華

1.一種坩堝加熱裝置，包括：

坩堝；

帶，與所述坩堝的下側(cè)相連，具有用于接觸所述坩堝的下側(cè)的接觸部分；

熱電偶，具有與所述帶相連的第一端子；

殼體，用于容納所述坩堝和所述帶；和

加熱器，設(shè)置在所述殼體內(nèi)部，用于加熱容納于所述坩堝內(nèi)的淀積材料。

2.如權(quán)利要求1所述的坩堝加熱裝置，其中，所述熱電偶連接至位于 所述殼體底部附近的所述帶的一部分。

3.如權(quán)利要求1所述的坩堝加熱裝置，進(jìn)一步包括與所述熱電偶的第 二端子相連的溫度控制器。

4.如權(quán)利要求1所述的坩堝加熱裝置，其中，所述接觸部分和所述帶 的其余部分由相同的材料形成。

5.如權(quán)利要求4所述的坩堝加熱裝置，其中，所述相同的材料為不銹 鋼。

6.如權(quán)利要求1所述的坩堝加熱裝置，其中，所述接觸部分從所述帶 的上部彎曲。

7.如權(quán)利要求1所述的坩堝加熱裝置，其中，所述加熱器環(huán)繞所述坩 堝。

8.如權(quán)利要求1所述的坩堝加熱裝置，其中，所述熱電偶與所述加熱 器絕緣。

9.如權(quán)利要求1-8任一項所述的坩堝加熱裝置，所述接觸部分是柔韌 的。

10.如權(quán)利要求1所述的坩堝加熱裝置，其中所述接觸部分被彎曲用于 接觸所述坩堝的下側(cè)。

11.如權(quán)利要求10所述的坩堝加熱裝置，其中，所述接觸部分為梯形、 半圓形、三角形或者長方形。

12.如權(quán)利要求10所述的坩堝加熱裝置，其中，形成在所述帶上的切 口分割所述接觸部分。

13.如權(quán)利要求10所述的坩堝加熱裝置，進(jìn)一步包括與所述熱電偶的 第二端子相連的溫度控制器。

14.一種淀積裝置，包括：

腔室；

圖案掩膜，設(shè)置在所述腔室的上部；和

坩堝加熱裝置，包括：

坩堝，

帶，與所述坩堝的下側(cè)相連，具有用于接觸所述坩堝的下側(cè)的接 觸部分，

熱電偶，具有與所述帶相連的第一端子，

殼體，用于容納所述坩堝和所述帶，和

加熱器，設(shè)置在所述殼體內(nèi)部，用于加熱容納于所述坩堝內(nèi)的淀 積材料。

15.如權(quán)利要求14所述的淀積裝置，其中，所述熱電偶連接至位于所 述殼體底部附近的所述帶的一部分。

16.如權(quán)利要求14所述的淀積裝置，進(jìn)一步包括與所述熱電偶的第二 端子相連的溫度控制器。

17.如權(quán)利要求14所述的淀積裝置，其中，所述接觸部分和所述帶的 其余部分由相同的材料形成。

18.如權(quán)利要求17所述的淀積裝置，其中，所述相同的材料為不銹鋼。

19.如權(quán)利要求14所述的淀積裝置，其中，所述接觸部分從所述帶的 上部彎曲。

20.如權(quán)利要求14所述的淀積裝置，其中，所述加熱器環(huán)繞所述坩堝。

21.如權(quán)利要求14所述的淀積裝置，其中，所述熱電偶與所述加熱器 絕緣。