[發明專利]承載裝置及沉積機臺的監測方法無效
| 申請號: | 200810212980.6 | 申請日: | 2008-09-17 |
| 公開(公告)號: | CN101677056A | 公開(公告)日: | 2010-03-24 |
| 發明(設計)人: | 賴宏岱 | 申請(專利權)人: | 力晶半導體股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00;H01L21/683;H01L21/66;C23C14/22;C23C14/50;C23C16/44;C23C16/458 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 承載 裝置 沉積 機臺 監測 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種用于半導體工藝設備的裝置及監測方法,且特別涉及一種承載裝置及沉積機臺的監測方法。
背景技術
薄膜沉積(thin?film?deposition)技術已是半導體產業所廣泛應用的技術之一。薄膜沉積技術可分為物理氣相沉積(physical?vapor?deposition,PVD)以及化學氣相沉積(chemical?vapor?deposition,CVD)。物理氣相沉積主要是通過物理現象進行薄膜沉積,化學氣相沉積主要是以化學反應的方式進行薄膜沉積。而無論是何種方式的氣相沉積都需于一沉積機臺上進行相關工藝。
一般而言,在沉積機臺的系統中會大量使用靜電式承載座(electrostaticchuck,E-chuck)來承載欲進行薄膜沉積工藝的晶片。在靜電式承載座的外圍表面上通常會放置一種環形附件,即沉積環(deposition?ring),以防止薄膜沉積于靜電式承載座的表面,進而節省清理的時間與成本,并提高進行薄膜沉積的產能。
然而,當晶片在進行薄膜沉積工藝時,沉積環發生斷裂或損壞可能會形成顆粒源(particle?source)造成污染,容易使得晶片在沉積薄膜時發生大量缺陷導致報廢。因此,如何避免晶片在錯誤的環境中進行沉積工藝以確保薄膜的品質,并改善工藝良率與可靠度是業界亟欲解決的課題之一。
發明內容
本發明提供一種承載裝置,能夠即時偵測沉積環或晶片的損壞。
本發明另提供一種沉積機臺的監測方法,可以避免晶片在進行沉積薄膜時發生缺陷。
本發明提出一種承載裝置,適于配置在沉積機臺中以承載一晶片,此承載裝置包括承載座、沉積環以及偵測單元。承載座用以放置晶片于其上。沉積環配置于承載座的外圍表面上。偵測單元包括至少一個第一電極、至少一個第二電極、信號輸出部與信號接收部。第一電極與第二電極分別配置于承載座的表面,且第一電極與第二電極互不接觸。信號輸出部連接第一電極,以輸出一信號。信號接收部連接第二電極,其中通過信號接收部是否接收到此信號,以判斷第一電極與第二電極是否電性連接在一起。
在本發明的一實施例中,上述的第一電極與第二電極分別為環狀電極,且第一電極與第二電極是以同心圓的方式而配置。
在本發明的一實施例中,上述的第一電極與第二電極分別配置于沉積環下方的承載座表面。而上述的偵測單元例如是沉積環損壞偵測器。
在本發明的一實施例中,上述的第一電極與第二電極分別配置于晶片下方的承載座表面。而上述的偵測單元例如是晶片破片偵測器。
在本發明的一實施例中,當偵測單元具有多個第一電極與多個第二電極時,各第一電極與各第二電極為間隔配置。沉積環下方與晶片下方的承載座表面例如是分別配置有第一電極與第二電極。
在本發明的一實施例中,還包括控制單元,且控制單元連接該偵測單元,以根據偵測單元的偵測結果來停止該沉積機臺的運作。
在本發明的一實施例中,上述的承載座的材料包括陶瓷材料。
在本發明的一實施例中,上述的沉積環的材料包括陶瓷材料。
在本發明的一實施例中,上述的沉積機臺包括物理氣相沉積機臺。
本發明另提出一種沉積機臺的監測方法。首先,提供一承載裝置,其包括承載座、沉積環、至少一個第一電極、至少一個第二電極。第一電極與第二電極分別配置于承載座的表面,且第一電極與第二電極互不接觸。接著,放置一晶片于承載座上。隨的,進行沉積工藝,并輸出一信號至第一電極。之后,通過第二電極是否接收到此信號以判斷第一電極與第二電極是否電性連接。
在本發明的一實施例中,當第一電極與第二電極電性連接時,停止沉積工藝。
在本發明的一實施例中,上述的第一電極與第二電極分別為環狀電極,且第一電極與第二電極是以同心圓的方式而配置。
在本發明的一實施例中,上述的第一電極與第二電極分別配置于沉積環下方的承載座表面。而上述的偵測方法例如是用于檢測沉積環的損壞。
在本發明的一實施例中,上述的第一電極與第二電極分別配置于晶片下方的承載座表面。而上述的偵測方法例如是用于檢測晶片的損壞。
在本發明的一實施例中,當承載裝置具有多個第一電極與多個第二電極時,各第一電極與各第二電極為間隔配置。沉積環下方與晶片下方的承載座表面例如是分別配置有第一電極與第二電極。
在本發明的一實施例中,上述的承載座的材料包括陶瓷材料。
在本發明的一實施例中,上述的沉積環的材料包括陶瓷材料。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





