[發明專利]承載裝置及沉積機臺的監測方法

無效

• 申請號: 200810212980.6
• 申請日: 2008-09-17
• 公開（公告）號: CN101677056A
• 公開（公告）日: 2010-03-24
• 發明（設計）人: 賴宏岱
• 申請（專利權）人: 力晶半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/683;H01L21/66;C23C14/22;C23C14/50;C23C16/44;C23C16/458
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波

1、一種承載裝置，適于配置在一沉積機臺中以承載一晶片，包括：

一承載座，用以放置該晶片于其上；

一沉積環，配置于該承載座的外圍表面上；以及

一偵測單元，包括：

至少一第一電極與至少一第二電極，分別配置于該承載座的表面，且該第一電極與該第二電極互不接觸；

一信號輸出部，連接該第一電極，以輸出一信號；以及

一信號接收部，連接該第二電極，其中通過該信號接收部是否接收到該信號，以判斷該第一電極與該第二電極是否電性連接在一起。

2、如權利要求1所述的承載裝置，其中該第一電極與該第二電極分別為環狀電極，且該第一電極與該第二電極是以同心圓的方式而配置。

3、如權利要求1所述的承載裝置，其中該第一電極與該第二電極分別配置于該沉積環下方的該承載座表面。

4、如權利要求3所述的承載裝置，其中該偵測單元為沉積環損壞偵測器。

5、如權利要求1所述的承載裝置，其中該第一電極與該第二電極分別配置于該晶片下方的該承載座表面。

6、如權利要求5所述的承載裝置，其中該偵測單元為晶片破片偵測器。

7、如權利要求1所述的承載裝置，其中當該偵測單元具有多個第一電極與多個第二電極時，各該些第一電極與各該些第二電極為間隔配置。

8、如權利要求7所述的承載裝置，其中該沉積環下方與該晶片下方的該承載座表面分別配置有該些第一電極與該些第二電極。

9、如權利要求1所述的承載裝置，還包括一控制單元，該控制單元連接該偵測單元，以根據該偵測單元的偵測結果來停止該沉積機臺的運作。

10、如權利要求1所述的承載裝置，其中該承載座的材料包括陶瓷材料。

11、如權利要求1所述的承載裝置，其中該沉積環的材料包括陶瓷材料。

12、如權利要求1所述的承載裝置，其中該沉積機臺包括物理氣相沉積機臺。

13、一種沉積機臺的監測方法，該方法包括：

提供一承載裝置，包括：

一承載座；

一沉積環，配置于該承載座的外圍表面上；以及

至少一第一電極與至少一第二電極，分別配置于該承載座的表面，且該第一電極與該第二電極互不接觸；

放置一晶片于該承載座上；

進行一沉積工藝，并輸出一信號至該第一電極；以及

通過該第二電極是否接收到該信號以判斷該第一電極與該第二電極是否電性連接。

14、如權利要求13所述的沉積機臺的監測方法，其中當該第一電極與該第二電極電性連接，停止該沉積工藝。

15、如權利要求13所述的沉積機臺的監測方法，其中該第一電極與該第二電極分別為環狀電極，且該第一電極與該第二電極是以同心圓的方式而配置。

16、如權利要求13所述的沉積機臺的監測方法，其中該第一電極與該第二電極分別配置于該沉積環下方的該承載座表面。

17、如權利要求16所述的沉積機臺的監測方法，其中該監測方法用于檢測該沉積環的損壞。

18、如權利要求13所述的沉積機臺的監測方法，其中該第一電極與該第二電極分別配置于該晶片下方的該承載座表面。

19、如權利要求18所述的沉積機臺的監測方法，其中該監測方法用于檢測該晶片的損壞。

20、如權利要求13所述的沉積機臺的監測方法，其中當該承載裝置具有多個第一電極與多個第二電極時，各該些第一電極與各該些第二電極為間隔配置。

21、如權利要求20所述的沉積機臺的監測方法，其中該沉積環下方與該晶片下方的該承載座表面分別配置有該些第一電極與該些第二電極。

22、如權利要求13所述的沉積機臺的監測方法，其中該承載座的材料包括陶瓷材料。

23、如權利要求13所述的沉積機臺的監測方法，其中該沉積環的材料包括陶瓷材料。