[發明專利]半導體存儲器件及其制造方法

無效

• 申請號: 200810210991.0
• 申請日: 2008-08-20
• 公開（公告）號: CN101373775A
• 公開（公告）日: 2009-02-25
• 發明（設計）人: 石丸哲也;川島祥之;島本泰洋;安井感;有金剛;峰利之
• 申請（專利權）人: 株式會社瑞薩科技
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115;H01L29/792;H01L29/423;H01L21/8247;H01L21/336;H01L21/28
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所
• 代理人: 王茂華

1.一種半導體存儲器件，具有在半導體襯底的主面的第一區域包含第一場效應晶體管且在第二區域包含與上述第一場效應晶體管鄰接的第二場效應晶體管的非易失性存儲單元，

該半導體存儲器件的特征在于，具有：

在上述第一區域內形成的上述第一場效應晶體管的第一柵電極；

在上述第二區域內形成的上述第二場效應晶體管的第二柵電極；

在上述半導體襯底和上述第一柵電極之間形成的第一柵極絕緣膜；

在上述半導體襯底和上述第二柵電極之間以及上述第一柵電極和上述第二柵電極之間形成的電荷存儲層；以及

在上述半導體襯底和上述電荷存儲層之間以及上述第一柵電極和上述電荷存儲層之間形成的第一絕緣膜，

上述第一柵電極的柵極長度方向端部之下的上述第一柵極絕緣膜的厚度，比上述第一柵電極的柵極長度方向中央部之下的上述第一柵極絕緣膜的厚度厚，

位于上述第一柵電極和上述電荷存儲層之間且最靠近上述半導體襯底的上述第一絕緣膜的厚度為上述半導體襯底和上述電荷存儲層之間的上述第一絕緣膜的厚度的1.5倍以下。

2.根據權利要求1所述的半導體存儲器件，其特征在于：

上述第一柵電極的柵極長度方向端部之下的上述第一柵極絕緣膜的厚度，比上述第一柵電極的柵極長度方向中央部之下的上述第一柵極絕緣膜的厚度厚0.5nm以上。

3.根據權利要求1所述的半導體存儲器件，其特征在于：

在上述半導體襯底的主面的第三區域內還具有進行邏輯運算的第三場效應晶體管，

還具有在上述第三區域內形成的上述第三場效應晶體管的第三柵電極和在上述半導體襯底與上述第三柵電極之間形成的第二柵極絕緣膜，

上述第三柵電極的柵極長度方向端部之下的上述第二柵極絕緣膜的厚度與上述第三柵電極的柵極長度方向中央部之下的上述第二柵極絕緣膜的厚度之差為0.5nm以下。

4.根據權利要求1所述的半導體存儲器件，其特征在于：

上述第一柵電極的一個柵極長度方向端部之下的上述第一柵極絕緣膜的厚度，比上述第一柵電極的柵極長度方向中央部之下的上述第一柵極絕緣膜的厚度厚。

5.根據權利要求1所述的半導體存儲器件，其特征在于：

上述電荷存儲層是氮化硅膜、氧氮化硅膜、氧化鉭膜或氧化鋁膜。

6.根據權利要求1所述的半導體存儲器件，其特征在于：

上述第一絕緣膜是氧化硅膜。

7.根據權利要求1所述的半導體存儲器件，其特征在于：

在上述第二柵電極和上述電荷存儲層之間具有第二絕緣膜。

8.根據權利要求7所述的半導體存儲器件，其特征在于：

上述第二絕緣膜是氧化硅膜、在氧化硅膜之間插入了氮化硅膜的絕緣膜、或在氧化硅膜之間插入了非晶質硅膜的絕緣膜。

9.根據權利要求1所述的半導體存儲器件，其特征在于：

通過利用SSI方式向上述電荷存儲層注入熱電子來寫入信息。

10.根據權利要求1所述的半導體存儲器件，其特征在于：

通過利用BTBT現象向上述電荷存儲層注入熱空穴來刪除信息。