[發明專利]靜電放電檢測裝置

有效

• 申請號: 200810210921.5
• 申請日: 2008-08-12
• 公開（公告）號: CN101650394A
• 公開（公告）日: 2010-02-17
• 發明（設計）人: 張全汪
• 申請（專利權）人: 金寶電子工業股份有限公司
• 主分類號: G01R31/00
• 分類號: G01R31/00;G01R29/12
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司
• 代理人: 陳 晨

1.一種靜電放電檢測裝置，其特征在于用以測試待測物，該靜電放電檢 測裝置包括有：

靜電產生模塊，耦接于該待測物，用以提供靜電來對該待測物進行放電， 進而使該待測物輸出靜電信號；

靜電放電檢測模塊，耦接于該待測物，用以接收該靜電信號，并將該靜 電信號進行衰減以及延遲總延遲時間后輸出；該靜電放電檢測模塊包括有：

靜電接收電路，用以接收該靜電信號，該靜電接收電路包括第一開 關元件，該第一開關元件的集電極耦接于電壓源，該第一開關 元件的基極耦接于該靜電信號；以及

多個延遲電路，耦接于該靜電接收電路，用以衰減并延遲該靜電信 號，所述多個延遲電路中的第一級延遲電路耦接于該靜電接收 電路，第二級延遲電路耦接于該第一級延遲電路，且之后的每 一級延遲電路依序兩兩耦接，每一延遲電路會延遲該靜電信號 特定時間；以及

顯示模塊，耦接于該靜電放電檢測模塊，用來接收該靜電放電檢測模塊 傳來的該靜電信號，以產生驅動信號，并依據該驅動信號的強弱來表示該靜 電信號的大小。

2.如權利要求1所述的靜電放電檢測裝置，其特征在于每一延遲電路中 包括晶體管以及電容，每一晶體管的集電極耦接于該電壓源，該第一級延遲 電路的該晶體管的基極耦接于該第一開關元件的發射極，當該第一開關元件 導通時，該電壓源對該第一級延遲電路的該電容進行充電；當該第一開關元 件關閉時，該第一級延遲電路的該電容對該第一級延遲電路的該晶體管進行 放電。

3.如權利要求2所述的靜電放電檢測裝置，其特征在于所述多個延遲電 路中，第i級延遲電路的晶體管的基極耦接于第i-1級延遲電路的晶體管的發 射極，當該第i-1級延遲電路的該晶體管導通時，該電壓源對該第i級延遲電 路的電容進行充電；當該第i-1級延遲電路的該晶體管關閉時，該第i級延遲 電路的該電容對該第i級延遲電路的該晶體管進行放電，其中2≤i≤N。

4.如權利要求3所述的靜電放電檢測裝置，其特征在于該顯示模塊包括 第二開關元件、第三開關元件以及至少一個顯示元件，該第二開關元件接收 第N級延遲電路傳來的該靜電信號后導通，以產生觸發信號來導通該第三開 關元件，進而驅動該顯示元件。

5.如權利要求4所述的靜電放電檢測裝置，其特征在于該顯示元件為發 光二極管或示波器。

6.如權利要求5所述的靜電放電檢測裝置，其特征在于該發光二極管為 有機發光二極管。

7.如權利要求6所述的靜電放電檢測裝置，其特征在于該有機發光二極 管為有機高分子發光二極管。

8.如權利要求4所述的靜電放電檢測裝置，其特征在于該第一開關元 件、該第二開關元件、該第三開關元件以及所述晶體管為NPN雙極型晶體 管。

9.如權利要求8所述的靜電放電檢測裝置，其特征在于該NPN雙極型 晶體管可由PNP雙極型晶體管、N型金屬氧化物半導體晶體管、P型金屬氧 化物半導體晶體管、C型金屬氧化物半導體晶體管、H型金屬氧化物半導體 晶體管、D型金屬氧化物半導體晶體管或V型金屬氧化物半導體晶體管取代。

10.如權利要求1所述的靜電放電檢測裝置，其特征在于該待測物為半 導體元件或電子裝置或該電子裝置中的電路路徑。

11.如權利要求1所述的靜電放電檢測裝置，其特征在于每一延遲電路 所延遲的該特定時間隨著該延遲電路的級數增加而等比增加。

12.如權利要求11所述的靜電放電檢測裝置，其特征在于每一延遲電路 所延遲的該特定時間加總后即為該總延遲時間。

13.如權利要求1所述的靜電放電檢測裝置，其特征在于該顯示模塊在 該總延遲時間內表示該靜電信號的大小。