[發明專利]雙大馬士革工藝中的灰化處理方法有效
| 申請號: | 200810207675.8 | 申請日: | 2008-12-24 |
| 公開(公告)號: | CN101764080A | 公開(公告)日: | 2010-06-30 |
| 發明(設計)人: | 孫武;張海洋 | 申請(專利權)人: | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/768 | 分類號: | H01L21/768;H01L21/311;G03F7/42 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人: | 宋志強;麻海明 |
| 地址: | 201203 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 大馬士革 工藝 中的 灰化 處理 方法 | ||
1.一種雙大馬士革工藝中的灰化處理方法,其特征在于,該方法包括:
在雙大馬士革工藝中,使用二氧化碳氣體流進行灰化處理;
在進行所述灰化處理時,不使用一氧化碳氣體流;
在進行所述灰化處理時,所使用的偏壓為0~200瓦;所使用的源壓為 600~1000瓦;所使用的氧氣流量為200~500標準毫升/分鐘;所使用的二氧化 碳流量為50~200標準毫升/分鐘;所使用的氣壓為20~50毫托。
2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法還進一步包括:
在進行所述灰化處理時,所使用的偏壓為100瓦或200瓦;所使用的源壓 為600瓦或800瓦;所使用的氧氣流量為300標準毫升/分鐘或500標準毫升/ 分鐘;所使用的二氧化碳流量為100標準毫升/分鐘;所使用的氣壓為20毫托 或40毫托。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中芯國際集成電路制造(上海)有限公司,未經中芯國際集成電路制造(上海)有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200810207675.8/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





