[發明專利]一種BaCeO3體系高溫質子導體薄膜的制備方法無效
| 申請號： | 200810207365.6 | 申請日： | 2008-12-19 |
| 公開（公告）號： | CN101445395A | 公開（公告）日： | 2009-06-03 |
| 發明（設計）人： | 何亮 | 申請（專利權）人： | 上海工程技術大學 |
| 主分類號： | C04B41/85 | 分類號： | C04B41/85 |
| 代理公司： | 上海伯瑞杰知識產權代理有限公司 | 代理人： | 何葆芳 |
| 地址： | 200336*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 baceo sub 體系 高溫 質子 導體 薄膜 制備 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種BaCeO3體系高溫質子導體薄膜的制備方法，屬于薄膜制備及應用領域。
背景技術
自80年代Iwaraha等發現摻雜的BaCeO3體系具有相當高的電導率(σ800℃＝20mS/cm)以來，引起了人們的極大興趣并進行了廣泛研究，BaCeO3體系固體電解質在氫及含氫化合物傳感器、燃料電池、氫分離及氫泵、水蒸氣電解制氫及水蒸氣泵、有機合成加氫和脫氫等方面具有廣泛的應用前景。
由于質子導電膜的氫滲透速率與膜的厚度成反比，因此制備超薄的、在高溫下結構和性能穩定的質子導電膜對提高質子膜的導電率有很大的幫助。目前制備摻雜的BaCeO3高溫質子導體主要方法是：通過將所制備得到的粉體進行燒結成膜的方法制備，此種方法制備的高溫質子導體具有較大的厚度，但由于元素的擴散率與導體的厚度成反比，因此該種具有較大厚度的膜制約了氫元素的擴散速度。所以高溫質子導體電導率仍相對偏低，離工業化應用還有很大的差距，因此提高質子傳導速率成為一個重要的研究內容。
發明內容
本發明的目的：旨在提出一種能有效控制BaCeO3體系高溫質子導體薄膜厚度的制備方法，以此獲得使用性能更為理想的BaCeO3導電膜。
這種BaCeO3體系高溫質子導電膜的制備方法，其特征在于：它是采用射頻濺射法將BaCe1-XYXO3-α粉體濺射到多孔陶瓷基體上獲得厚度在1μm-100μm厚度的高溫質子導體導電薄膜。
所述的BaCe1-XYXO3-α粉體由BaCO3、CeO2、Y2O3三種原料通過固相反應合成；首先將三種原料BaCO3、CeO2、Y2O3按摩爾比1:1-X:X進行配比，其中0.02<X<0.3；并將混合料在常溫下進行濕法球磨、獲得平均粒徑在400目以下的粉體，而后將混合粉體干燥后放入高溫爐中，在1000-1500℃焙燒10-20h即制得可用于濺射制膜用的BaCe1-XYXO3-α粉體；其后將制備得到BaCe1-XYXO3-α粉體壓制成濺射儀所適宜的片狀后，在1300-1600℃燒結制得符合濺射儀要求的BaCe1-XYXO3-α陶瓷靶材。
濺射時所用濺射儀的功率為50～200W，濺射時間為30min～10h。
所述陶瓷基體為孔隙率為20～40％的多孔陶瓷。
根據以上技術方案提出的這種BaCeO3體系高溫質子導電膜的方法，通過射頻濺射法將已制備的BaCe1-XYXO3-α濺射到陶瓷基體上，制作厚度在100μm以下的高導電性能的BaCeO3體系高溫質子導體薄膜，不僅為相關行業提供了高性能的薄膜材料，同時也為促進該材料的工業化應用提供了技術支持。
具體實施方式
以下給出本發明的實施例，并結合實施例進一步闡述本發明。
本發明提出的這種BaCeO3體系高溫質子導電膜的方法，它是對現有高溫燒結成膜法制備BaCeO3體系高溫質子導電膜的一種創造性改進，其特征在于：它是采用射頻濺射法將BaCe1-XYXO3-α原料濺射到多孔陶瓷基體上獲得厚度在1μm-100μm的高溫質子導電薄膜。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海工程技術大學，未經上海工程技術大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200810207365.6/2.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種白光LED用熒光粉的制備方法
- 下一篇：鎂及鎂合金的表面處理方法
- 一種Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>復相熱障涂層材料
- 無鉛[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>納米管及其制備方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一種Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 復合膜及其制備方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 熒光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一種(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制備方法
- 熒光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>復合材料的制備方法
