[發明專利]一種BaCeO3體系高溫質子導體薄膜的制備方法無效
| 申請號： | 200810207365.6 | 申請日： | 2008-12-19 |
| 公開（公告）號： | CN101445395A | 公開（公告）日： | 2009-06-03 |
| 發明（設計）人： | 何亮 | 申請（專利權）人： | 上海工程技術大學 |
| 主分類號： | C04B41/85 | 分類號： | C04B41/85 |
| 代理公司： | 上海伯瑞杰知識產權代理有限公司 | 代理人： | 何葆芳 |
| 地址： | 200336*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 baceo sub 體系 高溫 質子 導體 薄膜 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1、一種BaCeO3體系高溫質子導體薄膜的制備方法，其特征在于：它采用射頻濺射法將BaCe1-XYXO3-α粉體濺射到多孔陶瓷基體上獲得厚度在1μm-100μm厚度的高溫質子導體導電薄膜。
2、一種BaCeO3體系高溫質子導體薄膜的方法，其特征在于：所述的BaCe1-XYXO3-α粉體由BaCO3、CeO2、Y2O3三種原料通過固相反應合成；首先將三種原料BaCO3、CeO2、Y2O3按摩爾比1:1-X:X進行配比，其中0.02<X<0.3；并將混合料在常溫下進行濕法球磨、獲得平均粒徑在400目以下的粉體，而后將混合粉體干燥后放入高溫爐中在1000-1500℃焙燒10-20h即制得可用于濺射制膜用的BaCe1-XYXO3-α粉體；其后將制備得到BaCe1-XYXO3-α粉體壓制成濺射儀所適宜的片狀后，在1300-1600℃燒結制得符合濺射儀要求的BaCe1-XYXO3-α陶瓷靶材。
3、一種BaCeO3體系高溫質子導體薄膜的方法，其特征在于：濺射時所用濺射儀的功率為50～200W，濺射時間為30min～10h。
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