[發明專利]減少等離子刻蝕工藝的殘留電荷方法

無效

• 申請號: 200810207334.0
• 申請日: 2008-12-19
• 公開（公告）號: CN101752210A
• 公開（公告）日: 2010-06-23
• 發明（設計）人: 張冬平;左亞軍;段曉斌
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/3065
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司 31002
• 代理人: 王潔

1.一種減少等離子刻蝕工藝的殘留電荷的方法，其特征在于，在等離子刻過程結束以后，以平均速率不大于500W/S的下降速率關斷等離子刻蝕。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述關斷等離子刻蝕的下降速率范圍是100W/S～500W/S。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述等離子刻蝕的關斷以階梯形式下降。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述階梯之間的梯度相等。

5.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述階梯中，先下降的階梯的梯度大于后下降的階梯。

6.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述階梯中，先下降階梯的維持時間小于后下降階梯的維持時間。

7.根據權利要求l所述的方法，其特征在于，所述等離子刻蝕的關斷以線性形式下降。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述等離子刻蝕的關斷以兩個或兩個以上不同下降速率的線性形式下降。

9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，先下降的線性形式的下降速率大于后下降的線性形式的下降速率。

10.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述等離子刻蝕的關斷以拋物線形式下降。

11.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，所述拋物線的下降速率逐步變小。