[發明專利]掩膜只讀存儲器的制造方法

有效

• 申請號: 200810204964.2
• 申請日: 2008-12-30
• 公開（公告）號: CN101459138A
• 公開（公告）日: 2009-06-17
• 發明（設計）人: 李棟;徐愛斌;李榮林;董耀旗;孔蔚然
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/8246
• 分類號: H01L21/8246
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所
• 代理人: 鄭 瑋

1.一種掩膜只讀存儲器的制造方法，其特征是，包括：

提供定義有存儲單元區和外圍電路區的半導體襯底；

于半導體襯底上形成未經摻雜的柵極物質層；

刻蝕柵極物質層，形成所需形狀的柵極；

于半導體襯底上依次形成第一氧化硅層與氮化硅層；

于存儲單元區填充介質層；

于半導體襯底上形成第二氧化硅層；

進行氧化硅和氮化硅的刻蝕，于存儲單元區去除柵極上的氮化硅層，并于外圍電路區形成柵極側墻；

進行柵極摻雜，所述柵極摻雜是在外圍電路區邏輯晶體管的源、漏離子注入時完成的。

2.根據權利要求1所述的掩膜只讀存儲器的制造方法，其特征是，在完成柵極摻雜后還包括：

于存儲單元區寫入數據；

形成阻擋層覆蓋外圍電路區無需形成金屬硅化物的邏輯晶體管所在區域；

在所述存儲單元區所填充的介質層與外圍電路區所形成的阻擋層的保護下，分別在存儲單元區的柵極上以及外圍電路區的柵極和有源區上形成金屬硅化物。

3.根據權利要求2所述的掩膜只讀存儲器的制造方法，其特征是，所述于存儲單元區寫入數據的過程包括：

對需要寫入數據0的存儲單元進行重摻雜離子注入；

對需要寫入數據1的存儲單元不進行離子注入。

4.根據權利要求2所述的掩膜只讀存儲器的制造方法，其特征是，所述阻擋層為氧化硅層。

5.根據權利要求2所述的掩膜只讀存儲器的制造方法，其特征是，所述金屬硅化物為鈦硅化物或鈷硅化物。

6.根據權利要求2所述的掩膜只讀存儲器的制造方法，其特征是，所述金?屬硅化物的形成過程包括：

依次濺射一金屬和一金屬氮化物；

進行第一次高溫熱處理，以形成金屬硅化物，所述第一次高溫熱處理的溫度為530度，時間為30秒；

濕法刻蝕去除未反應的所述金屬和所述金屬氮化物；

進行第二次高溫熱處理，以降低金屬硅化物的阻值，所述第二次高溫熱處理的溫度為866度，時間為30秒。

7.根據權利要求6所述的掩膜只讀存儲器的制造方法，其特征是，所述金屬為鈷，且所述金屬氮化物為氮化鈦。

8.根據權利要求7所述的掩膜只讀存儲器的制造方法，其特征是，所述金屬鈷的厚度為8nm，且所述氮化鈦的厚度為20nm。

9.根據權利要求1所述的掩膜只讀存儲器的制造方法，其特征是，所述介質層由氧化硅構成。

10.根據權利要求9所述的掩膜只讀存儲器的制造方法，其特征是，所述介質層的填充過程包括：

于半導體襯底上淀積氧化硅，且該氧化硅高于所述柵極；

進行化學機械拋光并濕法刻蝕所述氧化硅，于所述柵極之間形成氧化硅填充；

利用光刻與刻蝕技術，保留存儲單元區的氧化硅，并去除外圍電路區的氧化硅。

11.根據權利要求10所述的掩膜只讀存儲器的制造方法，其特征是，所述氧化硅的厚度為450nm。

12.根據權利要求1所述的掩膜只讀存儲器的制造方法，其特征是，所述第一氧化硅層的厚度為15nm，氮化硅層的厚度為30nm，且第二氧化硅層的厚度為80到100nm。

13.根據權利要求1所述的掩膜只讀存儲器的制造方法，其特征是，所述柵極物質層包括柵極氧化層與未經摻雜的多晶硅層。?