[發明專利]半導體芯片保護結構以及半導體芯片無效
| 申請號： | 200810204831.5 | 申請日： | 2008-12-30 |
| 公開（公告）號： | CN101770992A | 公開（公告）日： | 2010-07-07 |
| 發明（設計）人： | 胡健強;陳強;梁山安 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/00 | 分類號： | H01L23/00;H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海翼勝專利商標事務所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 201210 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 芯片 保護 結構 以及 | ||
1.一種半導體芯片保護結構，包括芯片保護環，所述芯片保護環形成于覆蓋在半導體襯底表面的金屬與介電層的疊層中，圍繞被保護的芯片功能器件區域；其特征在于，所述半導體芯片保護結構還包括隔離槽，所述隔離槽亦設置于金屬與介電層的疊層中，且圍繞被保護的芯片功能器件區域。
2.根據權利要求1所述的半導體芯片保護結構，其特征在于，所述半導體芯片保護結構包括一個隔離槽，布置于芯片保護環與芯片功能器件區域之間。
3.根據權利要求1所述的半導體芯片保護結構，其特征在于，所述半導體芯片保護結構包括一個隔離槽，布置于芯片保護環的外側。
4.根據權利要求1所述的半導體芯片保護結構，其特征在于，所述半導體芯片保護結構包括兩個以上的隔離槽，其中一個以上的隔離槽布置于芯片保護環的外側。
5.根據權利要求1至4任意一項所述的半導體芯片保護結構，其特征在于，所述隔離槽深度大于半導體襯底表面金屬與介電層的疊層厚度的三分之二。
6.一種半導體芯片，所述半導體芯片的表面被劃分為芯片保護結構區域、芯片切割區域以及芯片功能器件區域；
所述芯片保護結構區域環繞芯片功能器件區域設置，用于緩沖切割芯片時產生的應力；
所述芯片切割區域包括多個相互平行的橫向切割帶以及與橫向切割帶垂直的多個縱向切割帶，所述橫向和縱向切割帶設置于所述芯片保護結構區域的外側；
所述芯片保護結構區域包括芯片保護環，所述芯片保護環形成于覆蓋在半導體襯底表面的金屬與介電層的疊層中，圍繞被保護的芯片功能器件區域設置，其特征在于：
所述芯片保護結構區域還包括隔離槽，所述隔離槽亦設置于金屬與介電層的疊層中，且圍繞被保護的芯片功能器件區域。
7.根據權利要求6所述的半導體芯片，其特征在于，所述芯片保護結構區域包括一個隔離槽，布置于芯片保護環與芯片功能器件區域之間。
8.根據權利要求6所述的半導體芯片，其特征在于，所述芯片保護結構區域包括一個隔離槽，布置于芯片保護環與芯片切割區域之間。
9.根據權利要求6所述的半導體芯片，其特征在于，所述芯片保護結構區域包括兩個以上的隔離槽，其中一個以上的隔離槽布置于芯片保護環與芯片功能器件區域之間。
10.根據權利要求6至9任意一項所述的半導體芯片，其特征在于，所述隔離槽深度大于半導體襯底表面金屬與介電層的疊層厚度的三分之二。
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