[發(fā)明專利]一種多晶硅四面四角的磨削方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810204589.1 | 申請日： | 2008-12-15 |
| 公開（公告）號： | CN101745854A | 公開（公告）日： | 2010-06-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 盧建偉 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海日進機床有限公司 |
| 主分類號： | B24B9/06 | 分類號： | B24B9/06;B24B7/17 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 201601 上海*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 多晶 四面 四角 磨削 方法 | ||
1.?一種多晶硅四面四角的磨削方法，其特征在于：將一對具有環(huán)形磨削面的杯形砂輪沿橫向軸相對設(shè)置，使所述二杯形砂輪之間形成一外環(huán)磨削空間以及一內(nèi)環(huán)調(diào)整空間，并在所述二杯形砂輪繞橫向軸旋轉(zhuǎn)時，輸送所述多晶硅通過所述外環(huán)磨削空間進行雙面或雙角磨削，當所述多晶硅進至所述內(nèi)環(huán)調(diào)整空間時，令所述多晶硅繞其縱向軸旋轉(zhuǎn)預設(shè)角度，并自所述內(nèi)環(huán)調(diào)整空間送出所述多晶硅，以使其通過所述外環(huán)磨削空間時進行另一雙面或雙角磨削；其中，所述多晶硅具有分別相對的第一對待磨面、第二對待磨面、第一對待磨角、以及第二對待磨角；所述二杯形砂輪的環(huán)形磨削面之間的間距小于所述多晶硅的二相對待磨面之間的間距；所述多晶硅自外部通過所述外環(huán)磨削空間時對第一對待磨面進行磨削；所述多晶硅自所述內(nèi)環(huán)調(diào)整空間通過所述外環(huán)磨削空間時對第二對待磨面進行磨削；所述二杯形砂輪的環(huán)形磨削面之間的間距小于所述多晶硅的二相對待磨角之間的間距；所述多晶硅自外部通過所述外環(huán)磨削空間時對第一對待磨角進行磨削；所述多晶硅自所述內(nèi)環(huán)調(diào)整空間通過所述外環(huán)磨削空間時對第二對待磨角進行磨削；所述內(nèi)環(huán)調(diào)整區(qū)的橫向?qū)挾却笥谒龆嗑Ч钄嗝娴膶蔷€長度；所述內(nèi)環(huán)調(diào)整空間的縱向高度大于所述多晶硅的高度；所述預設(shè)角度為90度。
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