[發(fā)明專利]光學(xué)臨近修正參數(shù)采集方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810203537.2
• 申請(qǐng)日: 2008-11-27
• 公開（公告）號(hào): CN101738850A
• 公開（公告）日: 2010-06-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王謹(jǐn)恒
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號(hào): G03F1/14
• 分類號(hào): G03F1/14;G06F17/50
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 李麗

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件的制造領(lǐng)域，尤其涉及光學(xué)臨近修正參數(shù)采集方 法。

背景技術(shù)

隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的飛速發(fā)展，半導(dǎo)體器件為了達(dá)到更快的運(yùn)算速度、 更大的資料存儲(chǔ)量以及更多的功能，半導(dǎo)體芯片向更高集成度方向發(fā)展；而 半導(dǎo)體芯片的集成度越高，半導(dǎo)體器件的臨界尺寸(Critical?Dimension，CD) 越小。在90nm工藝條件下，超大規(guī)模集成電路應(yīng)用的CD已經(jīng)進(jìn)入到幾十到幾 百納米的范圍。

光學(xué)臨近修正(Optical?Proximity?Correction，OPC)方法是預(yù)先修正光掩 模上的圖形，例如在光掩模上使用亞衍射極限輔助散射條(Sub-Resolution Assist?Feature，SRAF)作為輔助圖形的方法。具體如專利號(hào)為95102281.4的 中國(guó)專利所公開的技術(shù)方案，如圖1所示，在光學(xué)臨近修正軟件的電路布局圖 1中，在相鄰的待曝光電路圖形10之間加入一個(gè)待曝光輔助圖形15，其中待曝 光輔助圖形15與待曝光電路圖形10平行，待曝光輔助圖形15為亞衍射極限輔 助散射條，用以減弱通過(guò)相鄰待曝光電路圖形10之間的光強(qiáng)度；然后再將在 OPC軟件中設(shè)計(jì)好的待曝光電路圖形10和待曝光輔助圖形15一起輸入至光掩 模制造設(shè)備中，設(shè)備會(huì)根據(jù)輸入的待曝光電路圖形10和待曝光輔助圖形15大 小和位置自動(dòng)在光掩模上用鉻層或移相器形成電路圖形和輔助圖形。這里的 待曝光輔助圖形15的尺寸依待曝光電路圖形10而定，一般寬為20nm至45nm， 長(zhǎng)為80nm至120nm，待曝光輔助圖形15的寬度為待曝光電路圖形10寬度的 2/5至4/5，長(zhǎng)度大概為相鄰待曝光電路圖形10的間距減去待曝光輔助圖形15寬 度的2至3倍。由于光掩模上的輔助圖形反映到半導(dǎo)體襯底上時(shí)，由于光掩模 上的輔助圖形尺寸小于光刻機(jī)的解析度，因此在半導(dǎo)體襯底上不會(huì)形成對(duì)應(yīng) 于輔助圖形的光刻膠膜圖形，這種加入亞衍射極限輔助散射條的方法很適合 用來(lái)修正相對(duì)孤立的圖形使其顯得更為密集，增加孤立的圖形曝光后的景深 (Depth?Of?Field，DOF)而提高微影的質(zhì)量，同時(shí)密集的圖形結(jié)構(gòu)可大幅增 加制程的自由度。

現(xiàn)有技術(shù)中，圖形線條的走向均為直線或直角轉(zhuǎn)彎。然而隨著半導(dǎo)體器 件尺寸的不斷減小，僅使用直線或直角轉(zhuǎn)彎難以滿足圖形布局的要求。因此， 圖形線條開始出現(xiàn)了非直角轉(zhuǎn)彎的布線走向。為此，在進(jìn)行OPC輔助圖形設(shè) 計(jì)時(shí)，需要采集具有不同轉(zhuǎn)彎角度的線條的臨近數(shù)據(jù)，以滿足OPC輔助圖形 設(shè)計(jì)的需求。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是：在進(jìn)行OPC輔助圖形設(shè)計(jì)時(shí)，如何采集 具有不同轉(zhuǎn)彎角度的線條的臨近數(shù)據(jù)。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種光學(xué)臨近修正 參數(shù)采集方法，包括步驟：對(duì)包括非直角彎角的測(cè)試線條進(jìn)行光學(xué)臨近修正， 形成具有輔助線條的待曝光圖形；通過(guò)實(shí)際曝光或仿真的方法獲取待曝光圖 形曝光后所形成的成型線條；通過(guò)對(duì)比成型線條與測(cè)試線條的差異，獲取輔 助線條在所述測(cè)試線條在所述彎角處是否出現(xiàn)冗余和/或缺漏。

可選地，還包括獲取所述輔助線條的冗余和/或缺漏的相應(yīng)的長(zhǎng)度。

可選地，還包括獲取所述輔助線條的冗余和/或缺漏相應(yīng)出現(xiàn)的位置。

可選地，所述的非直角彎角包括15度、30度、45度、60度、75度、105 度、120度、135度、150度和/或165度，所述的獲取輔助線條在所述測(cè)試線 條在所述彎角處是否出現(xiàn)冗余和/或缺漏是獲取單個(gè)角度的彎角或多個(gè)角度的 彎角處是否相應(yīng)出現(xiàn)冗余和/或缺漏。

可選地，所述的測(cè)試線條的寬度為100納米、65納米、45納米、32納米 或22納米。

可選地，所述非直角彎角為連貫的測(cè)試線條內(nèi)的夾角。

可選地，所述測(cè)試線條有一組以上，每組內(nèi)包括一條以上的測(cè)試線條， 各組測(cè)試線條的寬度相同而相應(yīng)的測(cè)試線條之間的間隔距離不同。

可選地，所述的寬度與間隔的比例為1:1至1:10。

可選地，所述測(cè)試線條有一組以上，每組內(nèi)包括一條以上的測(cè)試線條， 各組測(cè)試線條的寬度與相應(yīng)的測(cè)試線條之間的間隔距離的比例相同。

可選地，所述間隔距離的比例為1:1。