[發(fā)明專利]光學(xué)臨近修正參數(shù)采集方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200810203537.2 | 申請(qǐng)日: | 2008-11-27 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101738850A | 公開(公告)日: | 2010-06-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王謹(jǐn)恒 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號(hào): | G03F1/14 | 分類號(hào): | G03F1/14;G06F17/50 |
| 代理公司: | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 李麗 |
| 地址: | 201203 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 光學(xué) 臨近 修正 參數(shù) 采集 方法 | ||
1.一種光學(xué)臨近修正參數(shù)采集方法,其特征在于,包括步驟:
對(duì)包括非直角彎角的測(cè)試線條進(jìn)行光學(xué)臨近修正,形成具有輔助線條的 待曝光圖形,所述非直角彎角為連貫的測(cè)試線條內(nèi)的夾角,包括15度、30度、 45度、60度、75度、105度、120度、135度、150度和/或165度,所述的 測(cè)試線條的寬度為100納米、65納米、45納米、32納米或22納米;
通過實(shí)際曝光或仿真的方法獲取待曝光圖形曝光后所形成的成型線條;
通過對(duì)比成型線條與測(cè)試線條的差異,獲取輔助線條在所述測(cè)試線條在 單個(gè)角度的彎角或多個(gè)角度的彎角處是否出現(xiàn)冗余和/或缺漏。
2.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)臨近修正參數(shù)采集方法,其特征在于:還包 括獲取所述輔助線條的冗余和/或缺漏的相應(yīng)的長度。
3.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)臨近修正參數(shù)采集方法,其特征在于:還包 括獲取所述輔助線條的冗余和/或缺漏相應(yīng)出現(xiàn)的位置。
4.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)臨近修正參數(shù)采集方法,其特征在于:所述 測(cè)試線條有一組以上,每組內(nèi)包括一條以上的測(cè)試線條,各組測(cè)試線條的寬 度相同而相應(yīng)的測(cè)試線條之間的間隔距離不同。
5.如權(quán)利要求4所述的光學(xué)臨近修正參數(shù)采集方法,其特征在于:所述 的寬度與間隔距離的比例為1∶1至1∶10。
6.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)臨近修正參數(shù)采集方法,其特征在于:所述 測(cè)試線條有一組以上,每組內(nèi)包括一條以上的測(cè)試線條,各組測(cè)試線條的寬 度與相應(yīng)的測(cè)試線條之間的間隔距離的比例相同。
7.如權(quán)利要求6所述的光學(xué)臨近修正參數(shù)采集方法,其特征在于:所述 的寬度與間隔距離的比例為1∶1。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計(jì)工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準(zhǔn)或測(cè)試的特殊涂層或標(biāo)記;其制備
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