[發明專利]MOS晶體管及其制作方法

有效

• 申請號: 200810202960.0
• 申請日: 2008-11-18
• 公開（公告）號: CN101740513A
• 公開（公告）日: 2010-06-16
• 發明（設計）人: 趙猛
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/8234
• 分類號: H01L21/8234;H01L21/336;H01L27/04;H01L29/78
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 李麗

1.一種MOS晶體管的制作方法，包括：

提供半導體襯底，所述半導體襯底內形成有隔離結構，所述隔離結構將半導體襯底分為待形成MOS晶體管的不同有源區，所述有源區包括MOS晶體管的溝道區域；

在半導體襯底的有源區內引入第一離子，形成隔離阱；

在半導體襯底的有源區內引入第二離子，以調整待形成的MOS晶體管的閾值電壓；

其特征在于，還包括：

在MOS晶體管的溝道區域內引入碳離子。

2.根據權利要求1所述的MOS晶體管的制作方法，所述引入碳離子步驟在引入第一離子步驟之后進行。

3.根據權利要求1所述的MOS晶體管的制作方法，所述引入碳離子通過離子注入進行。

4.根據權利要求3所述的MOS晶體管的制作方法，所述引入碳離子的注入深度范圍為5nm至50nm。

5.根據權利要求3所述的MOS晶體管的制作方法，所述引入碳離子的注入能量范圍為低于20KeV，所述引入碳離子的注入劑量范圍為1E12至5E14cm^-2，角度范圍為0至9°。

6.根據權利要求3所述的MOS晶體管的制作方法，所述引入碳離子的注入能量范圍為低于20KeV，所述引入碳離子的注入劑量范圍為1E14至5E14cm^-2，角度范圍為0至9°。

7.根據權利要求5或6所述的MOS晶體管的制作方法，在注入碳離子之后還包括退火步驟。

8.根據權利要求7所述的MOS晶體管的制作方法，所述退火采用快速熱退火，退火溫度范圍為800至1000℃，退火時間為5至20min，氣氛為惰性氣體或者N₂。

9.一種MOS晶體管，包括：

半導體襯底，所述半導體襯底內形成有隔離結構，所述隔離結構將半導體襯底分為待形成MOS晶體管的不同有源區，所述有源區包括MOS晶體管的溝道區域；

隔離阱，位于半導體襯底的有源區內，所述隔離阱內引入有第一離子；

第二離子區，位于半導體襯底的有源區內，用于調整待形成的MOS晶體管的閾值電壓；

其特征在于，還包括：

碳離子區，位于MOS晶體管的溝道區域內。

10.根據權利要求9所述的MOS晶體管，所述碳離子區在引入第一離子形成隔離阱之后形成。

11.根據權利要求9或10所述的MOS晶體管，所述碳離子區通過離子注入形成。

12.根據權利要求11所述的MOS晶體管，所述碳離子區的注入碳離子的深度范圍為5nm至50nm。

13.根據權利要求12所述的MOS晶體管，所述碳離子區還包括在注入碳離子之后還包括退火步驟。

14.根據權利要求13所述的MOS晶體管，所述退火溫度范圍為800至1000℃，退火時間為5至20min，氣氛為惰性氣體或者N₂。