[發(fā)明專利]有機(jī)發(fā)光顯示器的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810188768.0
• 申請(qǐng)日: 2008-12-25
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101477965A
• 公開(kāi)（公告）日: 2009-07-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 俞忠根;金慜基
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 樂(lè)金顯示有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/82
• 分類號(hào): H01L21/82;H01L51/56
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 黃綸偉

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)涉及有機(jī)發(fā)光顯示器的制造方法。

背景技術(shù)

本申請(qǐng)要求2007年12月31日提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)No.10-2007-0141351的優(yōu)先權(quán)，此處以引證的方式并入其內(nèi)容。

用于有機(jī)發(fā)光顯示器的有機(jī)發(fā)光設(shè)備是一種在位于基板上的兩個(gè)電極之間包括發(fā)光層的自發(fā)光設(shè)備。

根據(jù)發(fā)光的方向，有機(jī)發(fā)光顯示器分為頂部發(fā)光型、底部發(fā)光型和雙發(fā)光型。根據(jù)驅(qū)動(dòng)方法，有機(jī)發(fā)光顯示器還可分為無(wú)源矩陣型和有源矩陣型。

在這些有機(jī)發(fā)光顯示器中，當(dāng)向以矩陣形式設(shè)置的多個(gè)子像素提供掃描信號(hào)、數(shù)字信號(hào)以及功率時(shí)，被選擇的子像素發(fā)光，從而顯示圖像。

在有機(jī)發(fā)光顯示器的制造工序中形成有機(jī)發(fā)光層時(shí)，廣泛采用這樣一種方法，即在真空腔內(nèi)將遮光掩模與目標(biāo)基板對(duì)準(zhǔn)，然后將有機(jī)材料沉積在位于目標(biāo)基板上的開(kāi)口區(qū)內(nèi)。

然而，前述方法在制造遮光掩模時(shí)有很多困難，例如在形成開(kāi)口區(qū)時(shí)要考慮掩模的下垂和掩模的間距調(diào)整，因此該方法被認(rèn)為不適合用于制造大尺寸面板。伴隨這些問(wèn)題，使用掩模的這種沉積法也帶來(lái)很多缺陷，例如在沉積有機(jī)發(fā)光層時(shí)由掩模引起刮擦和沉積空隙。因此，迫切需要一種可以替代這種方法的技術(shù)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的一個(gè)方面是提供一種有機(jī)發(fā)光顯示器的制造方法，該制造方法包括以下步驟：在目標(biāo)基板上形成第一電極，并且形成包括將所述第一電極露出的開(kāi)口區(qū)的堤壩層；粘接所述目標(biāo)基板和中間基板，該中間基板與所述目標(biāo)基板的頂部相對(duì)地隔開(kāi)并且具有在其上順序設(shè)置的有機(jī)材料層、吸收層、反射層以及施主基板；通過(guò)將激光照射到所述中間基板上而將有機(jī)材料層轉(zhuǎn)移到所述堤壩層內(nèi)露出的所述第一電極上，由此形成有機(jī)發(fā)光層；以及將所述目標(biāo)基板和所述中間基板彼此分離，并且在形成在所述目標(biāo)基板上的所述有機(jī)發(fā)光層上形成第二電極，其中所述吸收層的反射率低于所述反射層的反射率。

附圖說(shuō)明

附圖被包括在本說(shuō)明書(shū)中以提供對(duì)本公開(kāi)的進(jìn)一步理解，并結(jié)合到本說(shuō)明書(shū)中且構(gòu)成本說(shuō)明書(shū)的一部分，附圖示出了本公開(kāi)的實(shí)施方式，且與說(shuō)明書(shū)一起用于解釋本公開(kāi)的原理。附圖中：

圖1是根據(jù)本公開(kāi)的一個(gè)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示器的制造方法的示意流程圖；

圖2是目標(biāo)基板的視圖；

圖3是目標(biāo)基板和中間基板的示意圖；

圖4至圖6是吸收層和反射層的設(shè)置的視圖；

圖7是激光照射法的視圖；

圖8是目標(biāo)基板、中間基板及激光的示意性設(shè)置圖；

圖9是其上形成有機(jī)發(fā)光層的目標(biāo)基板的視圖；以及

圖10是有機(jī)發(fā)光二極管的分層結(jié)構(gòu)圖。

具體實(shí)施方式

下面將詳細(xì)描述本公開(kāi)的實(shí)施方式，在附圖中示例出了其示例。

在下文中，將參照附圖描述根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施方式的詳細(xì)示例。

如圖1所示，根據(jù)本公開(kāi)的一個(gè)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示器的制造方法包括：基板制備步驟S102、轉(zhuǎn)移準(zhǔn)備步驟S104、轉(zhuǎn)移步驟S106以及電極形成步驟S108。

首先，基板制備步驟S102是在目標(biāo)基板上形成第一電極并形成包括用以露出第一電極的開(kāi)口區(qū)的堤壩層(bank?layer)的步驟。

這里，目標(biāo)基板可包括無(wú)源矩陣型有機(jī)發(fā)光顯示器和有源矩陣型有機(jī)發(fā)光顯示器。在本公開(kāi)中，采用示例的方式參照?qǐng)D2更詳細(xì)地描述這種目標(biāo)基板，其中在該示例中目標(biāo)基板為有源矩陣型有機(jī)發(fā)光顯示器。

如圖2所示，在目標(biāo)基板110為有源矩陣型的情形下，目標(biāo)基板110還包括位于第一電極118之下的晶體管單元，且第一電極118可以連接至晶體管單元中所包括的晶體管的源極116a或漏極116b。

上面說(shuō)明的晶體管單元可以包括位于目標(biāo)基板110上的緩沖層111。此外，晶體管單元可以包括位于緩沖層111上的半導(dǎo)體層112。此外，晶體管單元可以包括位于半導(dǎo)體層112上的第一絕緣膜113。此外，晶體管單元可以包括位于第一絕緣膜113上的柵極114。此外，晶體管單元可以包括位于第一絕緣膜113和柵極114上的第二絕緣膜115a。此外，晶體管單元可以包括經(jīng)由接觸孔與半導(dǎo)體層112相連的源極116a和漏極116b。此外，晶體管單元可以包括位于源極116a和漏極116b上的平整膜115b。此外，晶體管單元可以包括位于平整膜115b上并經(jīng)由接觸孔與源極116a和漏極116b相連的第一電極118。此外，晶體管單元可以包括位于第一電極118上并包括將第一電極118露出的開(kāi)口區(qū)的堤壩層119。