[發(fā)明專利]有機發(fā)光顯示器的制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810188768.0 | 申請日： | 2008-12-25 |
| 公開（公告）號： | CN101477965A | 公開（公告）日： | 2009-07-08 |
| 發(fā)明（設計）人： | 俞忠根;金慜基 | 申請（專利權）人： | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/82 | 分類號： | H01L21/82;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京三友知識產(chǎn)權代理有限公司 | 代理人： | 黃綸偉 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 有機 發(fā)光 顯示器 制造 方法 | ||
1.一種有機發(fā)光顯示器的制造方法，該制造方法包括以下步驟：
在目標基板上形成第一電極，并且形成包括將所述第一電極露出的開口區(qū)的堤壩層；
粘接所述目標基板和中間基板，該中間基板與所述目標基板的頂部相對地隔開并且具有在其上順序設置的有機材料層、吸收層、反射層以及施主基板；
通過將激光照射到所述中間基板上而將有機材料層轉移到所述堤壩層內(nèi)露出的所述第一電極上，由此形成有機發(fā)光層；以及
將所述目標基板和所述中間基板彼此分離，并且在形成在所述目標基板上的所述有機發(fā)光層上形成第二電極，
其中所述吸收層的反射率低于所述反射層的反射率。
2.根據(jù)權利要求1所述的制造方法，其中所述吸收層的尺寸等于或小于所述開口區(qū)的尺寸。
3.根據(jù)權利要求1所述的制造方法，其中所述吸收層和所述反射層設置在同一層上。
4.根據(jù)權利要求1所述的制造方法，其中所述吸收層和所述反射層彼此交疊或彼此隔開。
5.根據(jù)權利要求4所述的制造方法，其中在所述吸收層和所述反射層彼此隔開的情況下，所述吸收層與所述反射層之間的間隙為1～30μm。
6.根據(jù)權利要求1所述的制造方法，其中所述有機材料層的尺寸對應于所述施主基板的尺寸。
7.根據(jù)權利要求1所述的制造方法，其中所述吸收層和所述反射層設置于所述施主基板的行和列中，并且
所述吸收層設置在所述施主基板的第N行，而所述反射層設置在所述施主基板的第N+1行和第N+2行。
8.根據(jù)權利要求1所述的制造方法，其中所述吸收層和所述反射層在所述施主基板的各行中向左側移位一列或兩列或者向右側移位一列或兩列。
9.根據(jù)權利要求1所述的制造方法，其中對于所述施主基板，所述有機材料層由不同顏色的有機材料形成。
10.根據(jù)權利要求1所述的制造方法，其中所述目標基板還包括設置在所述第一電極之下的晶體管單元，并且所述第一電極連接至該晶體管單元中所包含的晶體管的源極或漏極。
11.根據(jù)權利要求1所述的制造方法，其中在粘接所述目標基板和所述中間基板時，將所述目標基板和所述中間基板真空地粘接在一起。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
