[發明專利]粘合片、與切割膠帶一體化粘合片以及半導體的制造方法

有效

• 申請號: 200810186927.3
• 申請日: 2004-06-04
• 公開（公告）號: CN101447413A
• 公開（公告）日: 2009-06-03
• 發明（設計）人: 稻田禎一;增野道夫;宇留野道生
• 申請（專利權）人: 日立化成工業株式會社
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/78;C09J7/00
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司
• 代理人: 鐘 晶

本申請是原申請的申請日為2004年6月4日，申請號為200480015569.X，發明名稱為《粘合片、與切割膠帶一體化粘合片以及半導體的制造方法》的中國專利申請的分案申請。?

技術領域

本發明涉及適用于半導體元件與半導體元件裝載用支撐部件粘接的粘合片、與切割膠帶一體化的粘合片，以及半導體裝置的制造方法。?

背景技術

以往，主要使用銀膠來粘接半導體元件與半導體元件裝載用支撐部件。但是，隨著近年來半導體元件的小型化、高性能化，對所用的支撐部件也開始要求小型化、精細化。對于這樣的要求，由于使用銀膠粘接在導線連接時不方便，會造成突出或半導體元件的歪斜，難以控制粘合片的膜厚，以及粘合片產生孔隙等原因，無法很好地滿足上述要求。因此，為了滿足上述要求，近年來開始使用片狀的粘合劑。?

這種粘合片的使用方式有單片粘貼方式或晶片背面粘貼方式。在使用前者的單片粘貼方式的粘合片制造半導體裝置時，將卷筒狀的粘合片切割或拉裂成單片后，將該單片粘貼在支撐部件上，再將切割成單個的半導體元件粘接在上述貼有粘合片的支撐部件上，制成具有半導體元件的支撐部件，然后，根據需要，經過導線連接過程、封裝過程等制成半導體裝置。但是，為??了使用上述的單片粘貼方式的粘合片，必須具有將粘合片切開，粘接到支撐??部件上的專用組裝設備，因此與使用銀膠的方法相比，存在著生產成本高的問題。?

另一方面，在使用后者的晶片背面粘貼方式的粘合片制造半導體裝置時，首先將粘合片粘貼在半導體晶片的背面，再在粘合片的另一面貼上切割?膠帶；然后用切割方法將上述晶片切割成單個的半導體元件；將單個化的具有粘合片的半導體元件拾取(pick?up)出來，粘接到支撐部件上；然后經過加熱、硬化、導線接合等過程，制成半導體裝置。這種晶片背面粘貼方式的粘合片，在將單片化的具有粘合片的半導體元件粘接到支撐部件上時，不需要粘合片的單片化裝置，以往的銀膠用組裝設備不加改造便可使用，或者只要附加熱盤等裝置進行部分改造便可使用。因此，在使用粘合片的組裝方法中，作為一種能將生產成本控制得比較低的方法而引人注目。?

但是，因為在使用晶片背面粘貼方式的粘合片的方法中，在上述切割工序之前，必須經過粘合片與切割膠帶的粘貼等2次粘貼工序，所以需要將工序簡化。因此，有人提出了在切割膠帶上附帶有粘合片，將其粘貼在晶片上的方法(例如，特開2002—226796號公報、特開2002-158276號公報、特開2—32181號公報)。?

另外，使用晶片背面粘貼方式的粘合片的方法，在晶片切割時，必須同時也將粘合片切斷，但是在使用金剛石切割刀的一般切割方法中，要同時切斷晶片與粘合片就必須將切割速度放慢，這會導致成本上升。?

另一方面，對于晶片的切割方法，近年來有人提出了不將晶片完全切斷，而是用加工的溝槽作為折疊痕的方法，或用激光照射預定的切割線上的晶片內部形成變質區域的方法，對晶片進行可以容易切斷的加工，然后再用施加外力等方法予以切斷，前者被稱為半切割，后者叫做暗切割(特開2002—192370號公報，特開2003—338467號公報)。這些方法，特別是在晶片的厚度較薄的情況下，有減少切片不良的效果，由于不需要切口寬度，因此可以預期有提高成品率的效果。?

使用上述的半切割或暗切割，通過上述的晶片背面粘貼方式的進行半導體裝置制造的過程中，必須將粘合片與晶片同時切斷，但是在用一般的粘合片的情況下，要與晶片同時切斷是困難的。另外，當粘合片使用斷裂性良好的非伸縮性粘合片時，可以使晶片與粘合片的切斷面大致一致，同時切斷，但是非伸縮性的粘合片的流動性低，因此很難在100℃以下的低溫下粘貼在晶片上，而且粘合片本身很脆，可能會產生開裂，降低粘接的可靠性。?

發明內容

如上所述，在用晶片背面粘貼方式的粘合片的方法中，還沒有找到高效率的切斷晶片與粘合片的辦法。因此，在制造半導體裝置時的切割過程中，需要有一種能使上述半導體晶片形成可切割狀態的處理后，可以與晶片同時被切斷的粘合片。另外，在制造半導體裝置的半導體元件與支撐部件的粘接過程中，還需要有一種可靠性良好的粘合片。?

本發明的目的是提供一種能在低溫下粘貼在晶片上、具有能在室溫下進行處理的柔韌度、而且能在通常的切斷條件下與晶片同時切斷的粘合片。?

本發明人等發現，如將25℃時處于B階狀態的粘合片的斷裂強度與斷裂延伸率限定在特定的數值范圍內，便可以獲得能在室溫下與晶片同時切斷的粘合片。?