[發明專利]粘合片、與切割膠帶一體化粘合片以及半導體的制造方法

有效

• 申請號: 200810186927.3
• 申請日: 2004-06-04
• 公開（公告）號: CN101447413A
• 公開（公告）日: 2009-06-03
• 發明（設計）人: 稻田禎一;增野道夫;宇留野道生
• 申請（專利權）人: 日立化成工業株式會社
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/78;C09J7/00
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司
• 代理人: 鐘 晶

1.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于：所述方法包括：

I)將粘合片粘貼在半導體晶片上的粘貼工序；

II)使所述半導體晶片形成可切斷狀態的工序；

III)將切割膠帶粘貼在所述粘合片上的粘貼工序；

其中上述這些工序的順序為I-II-III、II-I-III或I-III-II，還 包括：

IV)通過在室溫以下擴張所述切割膠帶，將所述半導體晶片與所述 粘合片切斷，得到多個切斷成單片的、具有粘合片的半導體芯片的工序：以 及

V)將所述具有粘合片的半導體芯片粘接在裝載半導體芯片用的支撐 部件上的工序，

所述粘合片含有玻璃化溫度為-30℃～50℃且重均分子量為5萬～100 萬的高分子量成分、環氧樹脂與填料，

處于B階狀態的所述粘合片，在25℃的溫度下，斷裂強度為大于等于 0.1MPa、小于等于10MPa，且斷裂延伸率為大于等于1％、小于等于40％，

處于B階狀態的所述粘合片在25℃下的由10Hz動態粘彈性模量測定所 得彈性模量為1～3000MPa，在25℃下的由900Hz動態粘彈性模量測定所得 彈性模量為4000～20000MPa。

2.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于：所述方法包括：

I’)將層疊粘合片與切割膠帶而成的與切割膠帶一體化的粘合片 粘貼在半導體晶片上的粘貼工序：

II)使所述半導體晶片形成可切斷狀態的工序；

其中上述這些工序的順序為I’-II或II-I’，還包括：

IV)通過在室溫以下擴張所述與切割膠帶一體化的粘合片，將所述 半導體晶片與所述與切割膠帶一體化的粘合片切斷，得到多個切斷成單片的、 具有粘合片的半導體芯片的工序；以及

V)將所述具有粘合片的半導體芯片粘接在裝載半導體芯片用的支撐 部件上的工序，

所述粘合片含有玻璃轉化溫度為-30℃～50℃且重均分子量為5萬～100 萬的高分子量成分、環氧樹脂與填料，

處于B階狀態的所述粘合片，在25℃的溫度下，斷裂強度為大于等于 0.1MPa、小于等于10MPa，且斷裂延伸率為大于等于1％、小于等于40％，

處于B階狀態的所述粘合片在25℃下的由10Hz動態粘彈性模量測定所 得彈性模量為1～3000MPa，在25℃下的由900Hz動態粘彈性模量測定所得 彈性模量為4000～20000MPa。

3.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于：所述方法包括：

I)將粘合片粘貼在半導體晶片上的粘貼工序；

II)使所述半導體晶片形成可切斷狀態的工序；

III)將切割膠帶粘貼在所述粘合片上的粘貼工序；

其中上述這些工序的順序為I-II-III、II-I-III或I-III-II，還 包括：

IV)通過在室溫以下擴張所述切割膠帶，將所述半導體晶片與所述 粘合片切斷，得到多個切斷成單片的、具有粘合片的半導體芯片的工序：以 及

V)將所述具有粘合片的半導體芯片粘接在裝載半導體芯片用的支撐 部件上的工序，

所述粘合片含有玻璃化溫度為-30℃～50℃且重均分子量為5萬～100 萬的高分子量成分、環氧樹脂與填料，

處于B階狀態的所述粘合片，在25℃的溫度下，斷裂強度為大于等于 0.1MPa、小于等于10MPa，且斷裂延伸率為大于等于1％、小于等于40％，

處于B階狀態的所述粘合片在25℃下的由10Hz動態粘彈性模量測定所 得彈性模量為1～3000MPa，在-20℃下的由10Hz動態粘彈性模量測定所得 彈性模量為4000～20000MPa。