[發明專利]顯示裝置

有效

• 申請號: 200810185171.0
• 申請日: 2007-01-10
• 公開（公告）號: CN101452174B
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發明（設計）人: 瀨川泰生;小野木智英
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;H01L27/12;H01L29/786
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 馬高平

本申請是申請號為200710001337.4、申請日為2007年1月10日、 發明名稱為“顯示裝置”的中國專利申請的分案申請。

技術領域

本發明涉及一種具備薄膜晶體管的顯示裝置。

背景技術

以往的液晶顯示裝置(以下，稱為LCD)，如圖14所示，具備配 置成n行m列矩陣的多個像素，而各像素包含像素選擇用薄膜晶體管 10(以下，稱為TFT?110)、液晶LC及保持電容Csc。圖14為了圖示 簡單起見，只顯示2行2列的像素。

在TFT?110的柵極，連接有向行方向延伸的柵極線120，且在其漏 極線，連接有向列方向延伸的漏極線121。在各行的柵極線120從垂直 驅動電路(V驅動電路)130依序供給有柵極掃描信號，且依此而選擇 TFT?110。在漏極線121上按照來自水平驅動電路(H驅動電路)140 的水平掃描信號，而供給有視頻信號，且通過TFT?110而施加在液晶 LC上。由此使液晶分子的排列狀態產生變化就可進行顯示。保持電容 Csc用于保持通過TFT?110而供給的視頻信號。

此外，TFT?110、柵極線120、漏極線121、垂直驅動電路(V驅 動電路)130、水平驅動電路(H驅動電路)140形成在TFT襯底上， 且在該TFT襯底與相對襯底之間封入液晶LC。

然后，從TFT襯底側對LCD入射背光源的光。

(專利文獻1)日本專利特開2004-165241號公報

發明內容

(發明所欲解決的問題)

近年來，隨著LCD的高畫質化、高演色化，所使用的背光源的亮 度一直在上升。在直視型的LCD方面由于其一般從TFT襯底側入射背 光源的光，而使受背光源的光照射的TFT?110的泄漏電流增加，所以 保持在保持電容Csc內的電荷會泄漏，招來對比的惡化、閃爍、串擾 的發生等，且有顯示畫質惡化的問題。此外，在如液晶投影機、車用 頭燈顯示器入射光強度極高的情況，或有需要估計來自液晶面板的雙 面的光入射的情況，則由于不僅入射光，就連TFT襯底(玻璃襯底) 的表面的反射光頁會入射至TFT?110，所以TFT?110的泄漏電流會增加， 且同樣有顯示畫質惡化的問題。

(解決問題的手段)

因此，按照本發明第一方面的液晶顯示裝置，其特征在于第1襯 底上具備像素，而上述像素具備：半導體層，彎曲成U字形；柵極線， 經由柵極絕緣膜而與上述半導體層在第1及第2交叉部交叉；漏極線， 經由第1接觸孔連接在上述半導體層的漏極區域，而覆蓋從上述第1 交叉部延伸的半導體層的上方而形成；源極電極，經由第2接觸孔而 連接在上述半導體層的源極區域，而覆蓋從上述第2交叉部延伸的半 導體層的上方而形成；遮光層，經由緩沖膜形成在上述第1及第2交 叉部的半導體層的下方，而遮住入射至上述半導體層的光；及像素電 極，連接在上述源極電極。

按照本發明第二方面的液晶顯示裝置，其特征在于第1襯底上具 備像素，而上述像素具備：半導體層；柵極線，經由柵極絕緣膜而與 上述半導體層在一個交叉部交叉；漏極線，經由第1接觸孔而連接在 上述半導體層的漏極區域，而覆蓋從上述交叉部延伸的半導體層的上 方而形成；源極電極，經由第2接觸孔而連接在上述半導體層的源極 區域；遮光層，經由緩沖膜形成在上述交叉部的半導體層的下方，而 遮住入射至上述半導體層的光；及像素電極，連接在上述源極電極。

(發明效果)

依據本發明的液晶顯示裝置，則由于其以漏極線或源極電極覆蓋 從半導體層與柵極線的交叉部開始延伸的半導體層的上方，且在交叉 部的半導體層的下方，設置用于遮住入射至半導體層的光的遮光層， 所以可抑制來自液晶顯示裝置的上方及下方的入射光、或所述的反射 光入射至成為泄漏電流的發生源的半導體層部分。由此，可減低包含 半導體層、柵極絕緣膜、柵極線等的像素的TFT的泄漏電流，且可提 高液晶顯示裝置的顯示畫質。

附圖說明

圖1是本發明第1實施方式的液晶顯示裝置的像素的平面圖。

圖2是沿著圖1圖1的A-A線的剖面圖。

圖3(a)及3(b)是本發明第1實施方式的液晶顯示裝置的像素 的其他平面圖。

圖4是本發明第2實施方式的液晶顯示裝置的像素的平面圖。

圖5是沿著圖4的B-B線的剖面圖。