[發(fā)明專利]顯示裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200810185171.0 | 申請(qǐng)日： | 2007-01-10 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN101452174B | 公開(kāi)（公告）日： | 2012-07-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 瀨川泰生;小野木智英 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 索尼公司 |
| 主分類號(hào)： | G02F1/1362 | 分類號(hào)： | G02F1/1362;H01L27/12;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人： | 馬高平 |
| 地址： | 日本*** | 國(guó)省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 顯示裝置 | ||
1.一種顯示裝置，其特征在于：
在第1襯底上具備像素，而上述像素具備：
半導(dǎo)體層，彎曲成U字形：
柵極線，經(jīng)由柵極絕緣膜而與上述半導(dǎo)體層在第1及第2交叉部交叉；
漏極線，經(jīng)由第1接觸孔連接在上述半導(dǎo)體層的漏極區(qū)域，而覆蓋從上 述第1交叉部延伸的半導(dǎo)體層的上方而形成；
源極電極，經(jīng)由第2接觸孔而連接在上述半導(dǎo)體層的源極區(qū)域，而覆蓋 從上述第2交叉部延伸的半導(dǎo)體層的上方而形成；
遮光層，經(jīng)由緩沖膜形成在上述第1及第2交叉部的半導(dǎo)體層的下方， 而遮住入射至上述半導(dǎo)體層的光；
電容線，經(jīng)由上述柵極絕緣膜而形成在上述半導(dǎo)體層上；及
像素電極，連接在上述源極電極，
其中，上述源極區(qū)域及漏極區(qū)域分別由低濃度區(qū)域及高濃度區(qū)域所構(gòu)成， 而上述遮光層覆蓋上述低濃度區(qū)域的全體，進(jìn)而從上述低濃度區(qū)域的端緣覆 蓋上述高濃度區(qū)域2μm以上而形成。
2.一種顯示裝置，其特征在于：
在第1襯底上具備像素，而上述像素具備：
半導(dǎo)體層；
柵極線，經(jīng)由柵極絕緣膜而與上述半導(dǎo)體層在一個(gè)交叉部交叉：
漏極線，經(jīng)由第1接觸孔而連接在上述半導(dǎo)體層的漏極區(qū)域，而覆蓋從 上述交叉部延伸的半導(dǎo)體層的上方而形成；
源極電極，經(jīng)由第2接觸孔而連接在上述半導(dǎo)體層的源極區(qū)域上：
遮光層，經(jīng)由緩沖膜而形成在上述交叉部的半導(dǎo)體層的下方，而遮住入 射至上述半導(dǎo)體層的光；
電容線，經(jīng)由上述柵極絕緣膜而形成在上述半導(dǎo)體層上；及
像素電極，連接在上述源極電極，
其中，上述源極區(qū)域及漏極區(qū)域分別由低濃度區(qū)域及高濃度區(qū)域所構(gòu)成， 而上述遮光層覆蓋上述低濃度區(qū)域的全體，進(jìn)而從上述低濃度區(qū)域的端緣覆 蓋上述高濃度區(qū)域2μm以上而形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的顯示裝置，其中還具備與上述第1襯底相 對(duì)配置的第2襯底、及被封入在上述第1襯底與上述第2襯底之間的液晶。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的顯示裝置，其中，上述遮光層的電 位與上述柵極線的電位設(shè)定成相同。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的顯示裝置，其中，上述遮光層與上述柵極 線在除了上述像素的形成區(qū)域以外的上述第1襯底上以接觸孔連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的顯示裝置，其中，上述遮光層的電位與上 述電容線的電位設(shè)定成相同。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的顯示裝置，其中，上述緩沖膜的膜厚為 300nm以上。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的顯示裝置，其中，上述源極電極及漏極線 的端緣比上述遮光層的端部更向外側(cè)擴(kuò)張。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的顯示裝置，其中，上述遮光層的端部比上 述源極電極及漏極線的端緣更靠外側(cè)擴(kuò)張。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示裝置，其中，上述遮光層從上述半導(dǎo)體 層的端緣朝離開(kāi)2μm以上外側(cè)擴(kuò)張。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，上述源極電極及上述漏極 線覆蓋上述低濃度區(qū)域的整體，進(jìn)而從上述低濃度區(qū)域的端緣覆蓋上述高濃 度區(qū)域2μm以上而形成。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示裝置，其中，上述源極電極及上述漏極 線，從上述半導(dǎo)體層的端緣朝離開(kāi)2μm以上外側(cè)擴(kuò)張。
13.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的顯示裝置，其中，上述遮光層形成在除 了上述第1及上述第2接觸孔的下方以外的區(qū)域。
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