[發(fā)明專利]雷射切割方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810184465.1 | 申請日: | 2008-12-24 |
| 公開(公告)號: | CN101764172A | 公開(公告)日: | 2010-06-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 葉公旭;蘇紀(jì)為 | 申請(專利權(quán))人: | 東捷科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;B23K26/38 |
| 代理公司: | 廣東國欣律師事務(wù)所 44221 | 代理人: | 李文 |
| 地址: | 中國臺灣臺南*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 雷射 切割 方法 | ||
1.一種雷射切割方法,其特征在于,其包含下列各步驟:
a)利用一平臺承載一基板且該基板設(shè)有至少一第一切割直線;
b)利用一斜率運(yùn)算裝置在該第一切割直線上擷取二參考點(diǎn),再以該二參考點(diǎn)計(jì)算該第一切割直線相對于一雷射裝置的雷射行進(jìn)軸的斜率;以及
c)利用該雷射裝置依照該第一切割線相對于該雷射行進(jìn)軸的斜率在該基板上切割至少一第二切割直線,該第二切割直線與該第一切割直線相隔一預(yù)定距離。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雷射切割方法,其特征在于,步驟a)所述該基板為一太陽能電池板。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雷射切割方法,其特征在于,步驟a)所述該平臺為一氣浮平臺。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雷射切割方法,其特征在于,步驟b)之后更包含有一步驟b-1)利用一微調(diào)裝置根據(jù)步驟b)所得的斜率,調(diào)整該基板與該雷射行進(jìn)軸間相對的角度,該微調(diào)機(jī)構(gòu)是配合該挾持機(jī)構(gòu)以調(diào)整該基板。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的雷射切割方法,其特征在于,該微調(diào)裝置更包含多個(gè)定位輪,該等定位輪可夾持該基板進(jìn)行微幅的轉(zhuǎn)動。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雷射切割方法,其特征在于,步驟b)所述該斜率運(yùn)算裝置包含一取像裝置以及一運(yùn)算裝置,該取像裝用以在該第一切割直線上擷取該二參考點(diǎn),該運(yùn)算裝置以該二兩參考點(diǎn)計(jì)算該第一切割直線相對于該雷射行進(jìn)軸的斜率。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雷射切割方法,其特征在于,步驟b)之后更包含有一步驟b-2)透過一軟體來調(diào)整該雷射裝置所切割的直線斜率。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





