[發明專利]半導體器件的測試圖案及其制造方法無效
| 申請號： | 200810178679.8 | 申請日： | 2008-11-27 |
| 公開（公告）號： | CN101465338A | 公開（公告）日： | 2009-06-24 |
| 發明（設計）人： | 樸亨振 | 申請（專利權）人： | 東部高科股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/544 | 分類號： | H01L23/544;H01L21/00 |
| 代理公司： | 隆天國際知識產權代理有限公司 | 代理人： | 鄭小軍;馮志云 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 測試 圖案 及其 制造 方法 | ||
1.一種半導體器件的測試圖案，該測試圖案包括：
隔離層，位于半導體襯底上，以限定有源區；
柵電極，位于該有源區上；以及
源極/漏極區，位于該柵電極的一側；其中該源極/漏極區設置在該有源區的第一區處，并且該第一區位于該柵電極和該隔離層之間，該有源區的第三區與該柵電極間隔開，使得部分該隔離層位于該第三區和該柵電極之間，該有源區的第二區將該第一區與該第三區電連接。
2.如權利要求1所述的測試圖案，還包括接觸塞，與該第三區的該源極/漏極區相連接。
3.如權利要求1所述的測試圖案，其中該第一區的長度比該第三區的長度短。
4.如權利要求1所述的測試圖案，其中該第二區的寬度比該第一區的寬度窄。
5.如權利要求1所述的測試圖案，其中該第二區的寬度比該第三區的寬度窄。
6.如權利要求1所述的測試圖案，其中在該第一區處的該源極/漏極區的長度約為從0.08μm到0.15μm。
7.如權利要求6所述的測試圖案，其中該第三區的長度比該第一區的該源極/漏極區的長度長約0.3μm。
8.如權利要求1所述的測試圖案，其中該第二區的長度約為從0.3μm到0.4μm。
9.如權利要求1所述的測試圖案，其中該第三區的寬度比該第二區的寬度寬5倍到10倍。
10.一種半導體器件的測試圖案的制造方法，包括如下步驟：
在半導體襯底上形成隔離層，以限定有源區；
在該有源區上形成柵電極；以及
在該有源區的第一區處形成源極/漏極區，并且該第一區位于該柵電極和該隔離層之間，該有源區的第三區與該柵電極間隔開，使得部分該隔離層位于該第三區和該柵電極之間，該有源區的第二區將該第一區與該第三區電連接。
11.如權利要求10所述的方法，還包括如下步驟：形成與該第三區的該源極/漏極區相連接的接觸塞。
12.如權利要求10所述的方法，其中該第一區的長度比該第三區的長度短。
13.如權利要求10所述的方法，其中該第二區的寬度比該第一區的寬度窄。
14.如權利要求10所述的方法，其中該第二區的寬度比該第三區的寬度窄。
15.如權利要求10所述的方法，其中在該第一區處的該源極/漏極區的長度約為從0.08μm到0.15μm。
16.如權利要求15所述的方法，其中該第三區的長度比在該第一區處的該源極/漏極區的長度長約0.3μm。
17.如權利要求10所述的方法，其中該第二區的長度約為從0.3μm到0.4μm。
18.如權利要求10所述的方法，其中該第三區的寬度比該第二區的寬度寬5倍到10倍。
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