[發明專利]多功能芯片無效
| 申請號: | 200810178210.4 | 申請日: | 2008-11-17 |
| 公開(公告)號: | CN101740563A | 公開(公告)日: | 2010-06-16 |
| 發明(設計)人: | 楊進盛 | 申請(專利權)人: | 聯華電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02;H01L23/525 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
| 地址: | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 多功能 芯片 | ||
技術領域
本發明是有關于一種芯片,且特別是有關于可以轉換功能的一種多功能芯片。
背景技術
隨著電子科技的突飛猛進,各種電子產品已不在僅僅具有一種功能,而是朝向同時具有多功能的方向發展,且已被廣泛地應用到我們的日常生活及工作當中。
目前市面上一些常見的電子產品,如手機、隨身碟等,除了本身的主要功能之外,往往還附加了其他功能。舉例來說,手機除了主要的通話功能外,還附加了照相機、收音機、游戲、錄音等功能。上述這些功能原則上是由不同芯片達成,而這些不同功能的芯片置放在電子產品中必須占用相當多的體積,而使得電子產品的尺寸無法縮小。
此外,若要將上述這些功能整合在同一個芯片中,則只能利用具有可編程邏輯裝置(programmable?logic?device,PLD)的芯片來達成。但是,所謂的PLD芯片也僅是利用軟體將特定的功能燒錄于芯片中,使芯片在燒錄后具有某一功能,且無法更改其功能。因此,若將PLD芯片使用在多功能的電子產品中,亦無法滿足使用者隨時使用不同功能的需求。
發明內容
有鑒于此,本發明的目的就是在提供一種多功能芯片,其具有可以轉換(switchable)且可逆(reversible)的多種功能。
本發明的另一目的就是在提供一種多功能芯片,其通過改變電阻值可變區段的電阻值來實現各種功能。
本發明提出一種多功能芯片,其包括電路與至少一個控制電路。此電路具有多個功能,且包括內連線。此內連線具有至少一個電阻值可變區段(resistance-variable?segment)。控制電路與電阻值可變區段電性連接。通過控制電路改變電阻值可變區段的電阻值而實現這些功能中的一種功能。
依照本發明實施例所述的多功能芯片,上述的電阻值可變區段的材料例如為巨磁阻(giant?magnetoresistance,GMR)材料或相變(phase?change)材料。
依照本發明實施例所述的多功能芯片,上述的電阻值可變區段例如為整條導線、部分導線、整條插塞或部分插塞。
依照本發明實施例所述的多功能芯片,上述的電阻值可變區段例如為熔絲(fuse)的一部分。
依照本發明實施例所述的多功能芯片,上述的熔絲例如為銅熔絲、鋁熔絲或電子熔絲(e-fuse)。
依照本發明實施例所述的多功能芯片,上述的電阻值可變區段的電阻值為可逆的。
本發明另提出一種多功能芯片,其包括具有第一功能的第一電路、具有第二功能的第二電路以及至少一個控制電路。第一電路與第二電路共用至少一個半導體元件與內連線的一部分,而內連線的此部分具有至少一個電阻值可變區段。控制電路與電阻值可變區段電性連接。通過控制電路改變電阻值可變區段的電阻值而實現第一功能或第二功能。
本發明在與具有多個功能的電路電性連接的內連線中形成電阻值可變區段,且利用控制電路來調整此區段的電阻值。因此,本發明可以利用控制電阻值的變化來控制此區段的導通與否,并由此改變內連線的布線(wiring)方式來實現上述多個功能中的其中一種功能,且可在各個功能之間作轉換。
此外,多功能芯片也可以是包括共用至少一半導體元件與部分內連線的具有不同功能的多個電路的芯片,而共用的內連線具有電阻值可變區段,因此可以利用控制電路控制電阻值可變區段的電阻值來實現各種功能。
為讓本發明的上述和其他目的、特征和優點能更明顯易懂,下文特舉實施例,并配合所附圖,作詳細說明如下。
附圖說明
圖1為依照本發明實施例所繪示的多功能芯片的剖面示意圖。
圖2為依照本發明實施例所繪示的電阻可變材料的電阻-脈寬關系圖。
圖3A至圖3E分別為依照本發明實施例所繪示的具有電阻為可變且可逆的區段之的連線的示意圖。
圖4為依照本發明實施例所繪示的多功能芯片的功能轉換的示意圖。
附圖標記說明
2、4、6、8:狀態
40、42、44、46、48、112:區段
100:芯片
101:電路
102:半導體元件
104、108、402:插塞
106:第一層導線
110:第二層導線
204:內連線
206:開關
400:導線
具體實施方式
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





