[發(fā)明專利]多功能芯片無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810178210.4 | 申請日： | 2008-11-17 |
| 公開（公告）號： | CN101740563A | 公開（公告）日： | 2010-06-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 楊進(jìn)盛 | 申請（專利權(quán)）人： | 聯(lián)華電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/02 | 分類號： | H01L27/02;H01L23/525 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 多功能 芯片 | ||
1.一種多功能芯片，包括：
電路，具有多個功能，且該電路包括內(nèi)連線，該內(nèi)連線具有至少一電阻值可變區(qū)段；以及
至少一控制電路，與該至少一電阻值可變區(qū)段電性連接，其中通過該控制電路改變該電阻值可變區(qū)段的電阻值而實(shí)現(xiàn)這些功能中的一種功能。
2.如權(quán)利要求1所述的多功能芯片，其中該至少一電阻值可變區(qū)段的材料包括巨磁阻材料或相變材料。
3.如權(quán)利要求1所述的多功能芯片，其中該至少一電阻值可變區(qū)段包括整條導(dǎo)線、部分導(dǎo)線、整條插塞或部分插塞。
4.如權(quán)利要求1所述的多功能芯片，其中該電阻值可變區(qū)段為熔絲的一部分。
5.如權(quán)利要求4所述的多功能芯片，其中該熔絲包括銅熔絲、鋁熔絲或電子熔絲。
6.如權(quán)利要求1所述的多功能芯片，其中該至少一電阻值可變區(qū)段的電阻值為可逆的。
7.一種多功能芯片，包括：
第一電路，具有第一功能；
第二電路，具有第二功能，其中該第一電路與該第二電路共用至少一半導(dǎo)體元件與內(nèi)連線的一部分，該內(nèi)連線的該部分具有至少一電阻值可變區(qū)段；以及
至少一控制電路，與該至少一電阻值可變區(qū)段電性連接，其中通過該控制電路改變該電阻值可變區(qū)段的電阻值而實(shí)現(xiàn)該第一功能或該第二功能。
8.如權(quán)利要求7所述的多功能芯片，其中該至少一電阻值可變區(qū)段的材料包括巨磁阻材料或相變材料。
9.如權(quán)利要求7所述的多功能芯片，其中該至少一電阻值可變區(qū)段包括整條導(dǎo)線、部分導(dǎo)線、整條插塞或部分插塞。
10.如權(quán)利要求7所述的多功能芯片，其中該電阻值可變區(qū)段為熔絲的一部分。
11.如權(quán)利要求10所述的多功能芯片，其中該熔絲包括銅熔絲、鋁熔絲或電子熔絲。
12.如權(quán)利要求7所述的多功能芯片，其中該至少一電阻值可變區(qū)段的電阻值為可逆的。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
