[發明專利]半導體結構及其形成方法

有效

• 申請號: 200810175129.0
• 申請日: 2008-10-30
• 公開（公告）號: CN101577278A
• 公開（公告）日: 2009-11-11
• 發明（設計）人: 張正宏;余振華;葉震南
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/085
• 分類號: H01L27/085;H01L27/088;H01L21/8232;H01L21/8234
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司
• 代理人: 陳 晨;張浴月

1.一種半導體結構，包括：

一半導體襯底；

一平面晶體管，位于該半導體襯底的第一部分，其中該半導體襯底的第一部分具有第一上表面；以及

一多柵晶體管，位于該半導體襯底的第二部分，其中該半導體襯底的第二部分從該第一上表面凹入，以形成該多柵晶體管的鰭狀物，且該鰭狀物借助一絕緣物與該半導體襯底電性隔離，其中該絕緣物將該鰭狀物與其下方的一額外鰭狀物電性隔離，且其中該鰭狀物與該額外的鰭狀物為同一鰭狀物的不同部分。

2.如權利要求1所述的半導體結構，其中該多柵晶體管為一鰭式場效應晶體管。

3.如權利要求1所述的半導體結構，其中該多柵晶體管為一奧米加場效應晶體管。

4.如權利要求1所述的半導體結構，還包括一底切氧化區，位于該平面晶體管的一有源區的上表面下方，其中該底切氧化區延伸至該有源區的側壁，且該底切氧化區并未隔離該有源區與該半導體襯底。

5.如權利要求1所述的半導體結構，其中該鰭狀物具有一第二上表面與該第一上表面齊平。

6.如權利要求1所述的半導體結構，還包括第一組多柵晶體管，其具有第一間隔，以及第二組多柵晶體管，其具有大于第一間隔的第二間隔，且第一組多柵晶體管的鰭狀物高度大于第二組多柵晶體管的鰭狀物高度。

7.如權利要求1所述的半導體結構，還包括：

一應力源區，其圍繞該平面晶體管的一有源區而形成一環形；

一緩沖氧化物，介于該應力源區與該平面晶體管的有源區之間；以及

一隔離區，圍繞該應力源區，其中該隔離區與該應力源區由不同材料形成。

8.如權利要求1所述的半導體結構，其中該絕緣物具有不均勻的厚度。

9.一種半導體結構，包括：

一半導體襯底；

一隔離區，位于該半導體襯底上且具有一下表面，其中該隔離區包括第一部分與第二部分，其中第二部分的第二上表面低于第一部分的第一上表面；

一第一有源區，鄰接該隔離區的第一部分，其中該第一有源區的上表面與該第一上表面齊平；

一第二有源區，鄰接該隔離區的第二部分，其中該第二有源區的上表面高于該第二上表面；

一絕緣物，將該第二有源區隔成電性隔離的頂部與底部，該頂部與底部為同一鰭狀物的不同部分；

一平面晶體管，位于該第一有源區；以及

一多柵晶體管，以該第二有源區的頂部作為源極/漏極區與溝道區。

10.如權利要求9所述的半導體結構，還包括一底切氧化區，低于該第一有源區的上表面，其中該底切氧化區延伸至該第一有源區的側壁，且該底切氧化區并未隔離該第一有源區與該半導體襯底。

11.如權利要求9所述的半導體結構，還包括：

一氮化硅環，圍繞該第一有源區，且該氮化硅環鄰接該隔離區的第一部分；以及

一緩沖氧化物，介于該氮化硅環與第一有源區之間。

12.一種半導體結構的形成方法，包括：

提供一半導體襯底；

形成一隔離區于該半導體襯底中，其中該隔離區圍繞一有源區；

凹蝕該隔離區的頂部以露出該有源區的側壁；以及

于該有源區的上表面與該隔離區的下表面之間，氧化該有源區的中間區域以形成一絕緣物，將該有源區分成頂部與底部，該頂部與底部為同一鰭狀物的不同部分。

13.如權利要求12所述的半導體結構的形成方法，其中氧化該有源區的步驟包括：

形成一掩模層覆蓋該有源區的頂部側壁；

蝕刻該隔離區的頂部以露出該有源區未被該掩模層覆蓋的側壁；以及

氧化該有源區露出的側壁以形成該絕緣物。

14.如權利要求12所述的半導體結構的形成方法，其中在氧化該有源區之前還包括：

毯覆性地沉積一掩模層；

去除該掩模層的垂直部分與水平部分的交接處，以形成一開口，其中該垂直部分位于該有源區的側壁；以及

經由該開口注入氧離子至該有源區的中間區域。