[發(fā)明專利]基片支承裝置及包含該基片支承裝置的濺射設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810174132.0
• 申請日: 2008-11-07
• 公開（公告）號: CN101440475A
• 公開（公告）日: 2009-05-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 伊藤薰;松井博世
• 申請（專利權(quán)）人: 小島壓力加工工業(yè)株式會社
• 主分類號: C23C14/50
• 分類號: C23C14/50;C23C14/34;C23C14/54
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所
• 代理人: 蘇 娟

本申請基于2007年11月19日提交的日本專利申請 No.2007-299268，該申請的內(nèi)容通過引用結(jié)合入本文。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種基片支承裝置及濺射設(shè)備。更具體來說，本發(fā) 明涉及一種基片支承裝置以及一種包含設(shè)置在真空室中的這種基片 支承裝置的濺射設(shè)備，所述基片支承裝置以這種方式支承基片，使 得所述基片在真空室內(nèi)與濺射靶相對，以便通過濺射在所述基片上 形成涂膜。

背景技術(shù)

通常所知的裝飾品都具有所謂金屬裝飾，該金屬裝飾在由樹脂 模制件或類似物構(gòu)成的基片表面上(設(shè)計表面)提供看上去像金屬 的表面。作為真的金屬品的替代物，這些裝飾品被廣泛用作例如各 種產(chǎn)品和物件(諸如汽車內(nèi)飾件、家具、建材、家用電器和移動電 子設(shè)備)的蒙皮材料、部件等等。

通常所知的濺射(濺射方法)是一種在生產(chǎn)這些裝飾品時采用 的用于在基片表面上提供金屬裝飾的方法。眾所周知，濺射方法的 執(zhí)行過程如下。在濺射設(shè)備的真空室內(nèi)，將基片設(shè)置成與由薄膜沉 積材料制成的濺射靶相對，并且它們之間隔開預(yù)定距離。在此條件 下，諸如惰性氣體離子的高能粒子撞擊濺射靶，以使濺射粒子(例 如靶材的組成原子和離子)從濺射靶中飛出(發(fā)射)。然后，所述 濺射粒子附著并沉積到基片表面上以形成涂膜，該涂膜由與組成濺 射靶的材料相同的材料制成的金屬膜構(gòu)成。與使用金屬涂層、金屬 電鍍或類似的其它裝飾方法相比，根據(jù)濺射方法形成在基片上的涂 膜具有非常小的厚度和足夠強(qiáng)的附著性。相應(yīng)地，所述濺射方法能 夠提供具有高品質(zhì)和高耐用性的裝飾品。

上述濺射方法通常使用一種濺射設(shè)備，在該濺射設(shè)備中，用于 以可拆卸和在位置上固定的方式支承所述基片的支承裝置布置在真 空室內(nèi)。所述基片由布置在所述真空室內(nèi)的支承裝置支承，使得所 述基片與濺射靶相對，彼此間隔預(yù)定距離，然后執(zhí)行濺射。

在通過上述的傳統(tǒng)支承裝置支承基片的條件下，當(dāng)通過濺射在 所述基片上制作裝飾時，濺射粒子從所述濺射靶噴射出并沿所述基 片和濺射靶的相對方向或沿著與該相對方向?qū)墙徊娴姆较蛐羞M(jìn)， 無論濺射粒子的行進(jìn)方向如何，其都能足量到達(dá)與濺射靶相對的基 片表面并穩(wěn)定地附著和沉積到基片表面上。因此，在與濺射靶相對 的基片表面上形成均勻并足夠厚的涂膜。

然而，在上述的傳統(tǒng)方法中，濺射粒子不能附著到和所述與濺 射靶相對的基片表面相反的基片表面上。因此，不可能一次在基片 的兩個表面(與濺射靶相對的表面和另一個表面)上同時形成涂膜。

此外，沿與濺射靶和基片的相對方向?qū)墙徊娴姆较蛐羞M(jìn)的濺 射粒子中，只有一小部分粒子附著并沉積到位于與基片的同濺射靶 相對的表面相鄰的側(cè)表面上，特別是其中與基片的同濺射靶相對的 表面垂直的側(cè)表面上。因此，很難充分保證在所述側(cè)表面上形成的 涂膜的厚度。

并且，到那些側(cè)表面的濺射粒子的入射角非常小。因此，由于 所謂的自陰影效應(yīng)，濺射粒子不是以層的形式沉積而是以柱狀形式 沉積。相應(yīng)地，會發(fā)生諸如涂膜的厚度不均勻或涂膜對基片的附著 性減小等缺陷。而且，如果在涂膜和基片之間沒有形成底涂層，當(dāng) 在涂膜的與基片一側(cè)相對的側(cè)上形成頂涂層時，該頂涂層中包含的 成分(例如一種有機(jī)溶劑，如稀釋劑)通過在涂膜的較薄部分中產(chǎn) 生的小孔或類似物與基片接觸。從而可能會造成可能使基片腐蝕等 質(zhì)量惡化的風(fēng)險。

例如，在JP-A-05-320893和JP-A-05-51740中提出一種技術(shù)，在 該技術(shù)中，基片被布置在真空室內(nèi)并可繞軸轉(zhuǎn)動地被支承，隨著繞 軸的轉(zhuǎn)動，除了與濺射耙材相對的基片表面之外的一部分基片被設(shè) 置成與濺射靶成角度相對或與濺射靶平行?！芭c濺射靶成角度相對 或與濺射靶平行”這一表述意指基片的預(yù)定的表面被設(shè)置成相對于 濺射靶發(fā)射濺射粒子的表面形成0度到小于90度的角度的狀態(tài)。該 表述在下文中以相同含義使用。然而，在上述的技術(shù)中，與濺射靶 成角度相對或與濺射靶平行的基片表面被限定為特定的表面。因此， 該技術(shù)并不允許所有的基片表面被設(shè)置成與濺射靶成角度相對或與 濺射靶平行。相應(yīng)地，肯定不能解決上述所有問題。

發(fā)明內(nèi)容