[發明專利]預測高壓器件中的襯底電流的方法

無效

• 申請號: 200810172783.6
• 申請日: 2008-12-12
• 公開（公告）號: CN101470769A
• 公開（公告）日: 2009-07-01
• 發明（設計）人: 郭尚勛
• 申請（專利權）人: 東部高科股份有限公司
• 主分類號: G06F17/50
• 分類號: G06F17/50
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 李丙林;張 英

1.一種預測高壓器件中的襯底電流的方法，包括：

確定器件的漏極電壓是否等于或高于指定的第一臨界值；

如果所述漏極電壓低于所述第一臨界值，則將附加襯底電流設置為0；

如果所述漏極電壓等于或高于所述第一臨界值，則確定柵電壓是否等于或高于指定的第二臨界值；

如果所述柵電壓低于所述第二臨界值，則將所述附加襯底電流設置為0；

如果所述柵電壓等于或高于所述第二臨界值，則將所述附加襯底電流設置為一個值，其中所述值通過將所述第二臨界值和所述柵電壓之差的二次冪、所述漏極電壓以及比例常數進行相乘來獲得；以及然后

將所述附加襯底電流疊加到通過MOSFET器件建模獲得的襯底電流上，

其中，將所述第一臨界值設置為當通過MOSFET器件建模獲取的所述襯底電流開始隨所述柵電壓變化時的所述漏極電壓，

將所述第二臨界值設置為當下降的襯底電流開始增加時的所述柵電壓，以及

所述比例常數通過初步過程來獲得，并在數據庫中列出所述比例常數。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述MOSFET器件建模包括基于Berkeley短溝道絕緣柵場效應晶體管模型(BSIM3)的建模。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一臨界值是8.5V。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第二臨界值小于所述第一臨界值。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，所述附加襯底電流由表達式((a)×(V_d)×(V_g-V_gturn)²)來確定，其中，V_d是所述漏極電壓，V_g是所述柵電壓，V_gturn是當下降的襯底電流開始增加時的所述柵電壓，而“a”是所述比例常數。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，所述比例常數是7e^-7。

7.一種預測高壓器件中的襯底電流的方法，包括：

設置器件的第一臨界值和第二臨界值；

將所述第二臨界值和柵電壓之差的二次冪、漏極電壓以及比例常數進行相乘來獲得附加襯底電流；以及然后

將所述附加襯底電流疊加到通過MOSFET器件建模獲得的襯底電流上，

其中，將所述第一臨界值設置為當通過MOSFET器件建模獲取的所述襯底電流開始隨所述柵電壓變化時的所述漏極電壓，

將所述第二臨界值設置為當下降的襯底電流開始增加時的所述柵電壓，以及

所述比例常數通過初步過程來獲得，并提供在數據庫中。

8.根據權利要求7所述的方法，進一步包括確定所述器件的所述漏極電壓是否等于或高于所述第一臨界值，如果所述漏極電壓低于所述第一臨界值，則將所述附加襯底電流設置為0。

9.根據權利要求7所述的方法，進一步包括：

確定所述器件的所述漏極電壓是否等于或高于所述第一臨界值；

如果所述漏極電壓等于或高于所述第一臨界值，則確定所述柵電壓是否等于或高于所述第二臨界值；以及然后

如果所述柵電壓低于所述第二臨界值，則將所述附加襯底電流設置為0。

10.根據權利要求9所述的方法，其中，所述第二臨界值為9V。

11.根據權利要求9所述的方法，其中，所述第二臨界值低于所述第一臨界值。

12.根據權利要求7所述的方法，其中，所述MOSFET器件建模包括基于Berkeley短溝道絕緣柵場效應晶體管模型(BSIM3)的建模。

13.根據權利要求7所述的方法，其中，所述附加襯底電流由表達式((a)×(V_d)×(V_g-V_gturn)²)來確定，其中，V_d是所述漏極電壓，V_g是所述柵電壓，V_gturn是當下降的襯底電流開始增加時的所述柵電壓，而“a”是所述比例常數。

14.根據權利要求7所述的方法，其中，所述比例常數為7e^-7。