[發明專利]用于半導體晶粒封裝的互連結構及其方法

無效

• 申請號: 200810170908.1
• 申請日: 2008-10-15
• 公開（公告）號: CN101414590A
• 公開（公告）日: 2009-04-22
• 發明（設計）人: 楊文焜;許獻文
• 申請（專利權）人: 育霈科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/485
• 分類號: H01L23/485;H01L21/60
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司
• 代理人: 申 健

1、一種用于半導體晶粒封裝的互聯結構，其特征在于，所述的用于半導體晶粒封裝的互聯結構包含：

一增層，該增層具有重布層形成于其中，該增層形成于一晶粒上，而所述晶粒具有晶粒墊形成于其上方，其中所述的重布層耦合至所述晶粒墊；

一隔離基座，其具有凸塊開口附著于所述增層上方以露出所述增層內的錫球墊；及

一導電凸塊，配置于所述隔離基座的所述凸塊開口中，并附著于所述增層內的所述錫球墊上。

2、根據權利要求1所述的用于半導體晶粒封裝的互聯結構，其特征在于：還包含一球下金屬層結構形成于所述導電錫球墊上方。

3、根據權利要求1所述的用于半導體晶粒封裝的互聯結構，其特征在于：所述的球下金屬層附著于所述凸塊開口的側壁上。

4、根據權利要求1所述的用于半導體晶粒封裝的互聯結構，其特征在于：還包含一粘著層于所述隔離基座下。

5、根據權利要求1所述的用于半導體晶粒封裝的互聯結構，其特征在于：所述的重布層設定為扇入式(fan-in)架構。

6、根據權利要求1所述的用于半導體晶粒封裝的互聯結構，其特征在于：所述的重布層設定為扇出(擴散)式(fan-out)架構。

7、根據權利要求1所述的用于半導體晶粒封裝的互聯結構，其特征在于：還包含一基底形成于所述的晶粒下。

8、根據權利要求7所述的用于半導體晶粒封裝的互聯結構，其特征在于：還包含核心膠形成于所述的晶粒旁。

9、一種形成一用于半導體晶粒封裝的互連結構的方法，其特征在于，包含：

形成增層于一晶粒或晶圓(或面板)的核心區域上方，其中所述的增層包含重布層形成于其中；

至少于增層的上層開出開口，用以露出焊錫金屬墊；

附著一具有凸塊開口樣式的隔離基座于所述增層上，并露出所述的焊錫金屬墊；及

將焊錫凸塊配置于所述隔離基座的所述凸塊開口中并附著于所述增層的所述焊錫金屬墊上。

10、根據權利要求9所述的形成一用于半導體晶粒封裝的互連結構的方法，其特征在于，還包含一實行紅外線回焊制程(IR?re-flow?process)的步驟。