[發明專利]紫外線照射方法及使用了該方法的裝置

無效

• 申請號: 200810170201.0
• 申請日: 2008-10-09
• 公開（公告）號: CN101409225A
• 公開（公告）日: 2009-04-15
• 發明（設計）人: 山本雅之;長谷幸敏;松下孝夫;金島安治
• 申請（專利權）人: 日東電工株式會社
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所
• 代理人: 劉新宇;張會華

技術領域

本發明涉及一種對粘貼到半導體晶圓表面的紫外線固化 型保護帶進行剝離處理之前對保護帶照射紫外線來降低其粘合 力的紫外線照射方法及使用了該方法的裝置。

背景技術

作為對半導體晶圓(下面，簡稱為“晶圓”)進行薄型加工的 部件，利用磨削、研磨等機械方法或利用了蝕刻的化學方法等 對晶圓的背面進行加工來使其厚度變薄。另外，當利用這些方 法對晶片進行加工時，為了保護形成有配線圖案的晶圓表面， 在其表面粘貼有保護帶。粘貼有保護帶并進行研磨處理后的晶 圓也被配置到環形框中央，整個環形框和晶圓背面粘貼有支撐 用粘合帶。其后，從在環形框中保持的晶圓的表面剝離保護帶。

作為剝離這種保護帶的方法，可知有在保護帶的表面粘貼 粘合力較強的剝離帶、并通過剝離該剝離帶，從晶圓表面將保 護帶和剝離帶一體地剝離(參照日本特開平5-63077號公報)。

在上述保護帶剝離方法中，保護帶利用了紫外線固化型保 護帶。也就是說，在對保護帶整體照射紫外線來降低保護帶的 粘合力之后，轉移到使用剝離帶的剝離處理。然而，在該方法 中產生了如下問題。

在對晶圓表面粘貼保護帶的過程中，在對晶圓整體粘貼比 晶圓直徑還寬的保護帶之后，沿著晶圓外周切斷保護帶。此時， 保護帶的粘接劑有可能露出晶圓邊緣。

一邊清除氮等惰性氣體一邊照射紫外線，由此即使在這種 狀態下也能夠使從晶圓邊緣露出的粘接劑固化來降低粘合力。 然而，在對大量的晶圓進行紫外線處理的情況下，清除的惰性 氣體被放出到操作工序內的空氣中而成為高濃度。

另外，在粘接劑所露出的部分的粘合力沒有降低的狀態下 剝離保護帶時，存在過度的剝離應力集中到晶圓邊緣而使其破 損或晶圓邊緣殘留粘接劑這種問題。

發明內容

本發明的目的在于，提供一種紫外線照射方法及使用了該 方法的裝置，均勻地對紫外線固化型保護帶的粘接劑進行固化， 能夠形成高精度地剝離保護帶的狀態。

本發明者等為了可靠地固化從晶圓露出的粘接劑來降低 粘合力而專心研究的結果，得到了如下那樣的見解。

即，為了不對惰性氣體進行清除而在對空氣開放狀態下固 化粘接劑，反復進行了多次實驗。其結果，得到了如下見解： 將紫外線的強度高于照射到保護帶的由基材覆蓋的粘接劑的強 度的紫外線局部照射到露出的粘接劑的部分，由此與基材被覆 部分相同地加速固化而能夠降低粘合力，成為均勻的粘接強度。 根據該見解，本發明人等將剝離帶粘貼在紫外線處理后的保護 帶上后再進行剝離，由此能夠不使晶圓破損、在晶圓邊緣不殘 留粘接劑的殘渣地剝離保護帶。

本發明為了達到這種目的，采用了如下構成。

一種紫外線照射方法，對粘貼在半導體晶圓的表面上的紫 外線固化型保護帶進行剝離處理之前，對保護帶照射紫外線來 降低其粘合力，上述方法包括如下過程：

對上述保護帶粘貼面和半導體晶圓的周緣部照射紫外線， 使向該周緣部照射的紫外線的照射強度高于向保護帶粘貼面照 射的紫外線的照射強度。

根據本發明的紫外線照射方法，即使從上述半導體晶圓的 邊緣露出粘接劑，也由于照射強度高于照射到帶整個面上的紫 外線的強度的紫外線，因此能夠使所有粘接劑以大致相同程度 固化，降低其粘合力。因此，在后面工序中進行保護帶剝離處 理時，能夠消除晶圓破損、晶圓邊緣的粘接劑的殘渣。

此外，在上述方法發明中，優選從上述半導體晶圓的外周 部位向晶圓邊緣局部照射紫外線，并且使紫外線和半導體晶圓 在晶圓周向相對移動。

根據該方法，能夠對保護帶的周緣部、露出晶圓的粘接劑 集中照射強度較高的紫外線。即，能夠最佳實施上述方法。

另外，在上述方法發明中，優選使半導體晶圓的保護帶粘 貼面的每單位面積的紫外線照射量與晶圓邊緣的每單位面積的 紫外線照射量相同。

根據該方法，保護帶剝離時的剝離應力均勻，能夠避免半 導體晶圓的破損。

另外，在上述方法發明中，優選同時向半導體晶圓的保護 帶粘貼面和晶圓邊緣進行紫外線照射。

根據該方法，與對每個照射部位分開照射紫外線相比能夠 縮短處理時間。

另外，在上述方法發明中，優選將半導體晶圓載置到對準 臺的保持臺上，在進行位置對準的轉動動作中對晶圓邊緣照射 紫外線。