[發明專利]導電膜結構

無效

• 申請號: 200810169575.0
• 申請日: 2008-10-08
• 公開（公告）號: CN101714415A
• 公開（公告）日: 2010-05-26
• 發明（設計）人: 陳逸書;林國森;李建鋒
• 申請（專利權）人: 勝華科技股份有限公司
• 主分類號: H01B5/14
• 分類號: H01B5/14;H01B1/08;B32B7/02;B32B9/04
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王雪靜;逯長明

技術領域

本發明有關于一種導電膜結構，尤指一種于基板相互穿插堆棧有多層導電層與絕緣層，且該絕緣層為不連續的薄膜，使得位于該絕緣層相對兩面的導電層可透過該絕緣層的不連續部位相互接觸電性導通的導電膜結構。

背景技術

由于觸控式面板的蓬勃發展，導致觸控面板專用的導電基板需求量大幅增加，然欲制作電阻式觸控面板專用的氧化銦錫(ITO，Indium?TinOxide)透明導電膜，必須將氧化銦錫膜的阻值提高至數百歐姆，而為達成此目的，氧化銦錫膜厚度必須減薄至數十納米，因此在薄膜制作過程中如何維持其平整度以及阻值平均分布將是一大問題，且目前為止，尚未能夠有一種較適合的透明導電薄膜可取代現有的氧化銦錫膜。

請參閱圖1所示習知氧化銦錫導電膜的結構，該導電膜10主要是于基板11上設有一二氧化硅(SiO₂)層12，然后再于該二氧化硅層12上成長一氧化銦錫層13，藉此構成一透明的導電膜10。該基板11的材質通常為聚乙烯對苯二甲酸酯(Polyethylene?Terephthalate，PET)，該二氧化硅層12可以其它絕緣氧化物替代，該氧化銦錫層13則作為導電層。該二氧化硅層12的作用在于作為阻隔層，防止該氧化銦錫層13與基板11產生變化，一般而言，該二氧化硅層12的厚度大約位于10nm～50nm的范圍內，根據不同設計會有不同結構。由于必須將導電膜10面阻值提高到200～500歐姆左右，因此該氧化銦錫層13的厚度大約僅為數十nm而已，然而因為氧化銦錫層13厚度過小，相對穩定性也較差，且膜厚的控制也較為困難，因而影響到面阻值的變化。

因此，如何有效解決氧化銦錫膜厚及平整度問題，同時在不影響穩定性下完成高面阻值的導電膜制作，是電阻式觸控面板制造及應用等相關領域一重要課題。

發明內容

有鑒于習知技術的缺失，本發明的目的在于提出一種導電膜結構，可提高導電膜面阻值，且可避免因為導電層過薄而導致導電層不穩定或剝落的情況。

為達到上述目的，本發明提出一種導電膜結構，該導電膜是由一基板以及一多層膜結構構成，該多層膜結構包含至少兩層導電層及至少一層絕緣層，且該絕緣層與該導電層相互穿插堆棧貼附于該基板，該絕緣層為不連續的薄膜，使得位于該絕緣層相對兩面的導電層可透過該絕緣層的不連續部位相互接觸電性導通。

為能對于本發明的結構目的和功效有更進一步的了解與認同，茲配合圖示詳細說明如后。

附圖說明

圖1為習知氧化銦錫導電膜的結構示意圖。

圖2至圖4為本發明不同實施例的結構示意圖。

圖5A～圖5C為濺鍍鍍膜流程的結構示意圖。

圖6為本發明實施例的放大結構示意圖。

圖7為不同導電層及絕緣層組合與面阻值變化關系表。

圖8為依據圖7實施例A～E二氧化硅厚度及所得導電膜面阻值變化曲線表。

主要組件符號說明

10-導電膜

11-基板

12-二氧化硅層

13-氧化銦錫層

20、30、40、60-導電膜

21、31、41、51、61-基板

22a、22b、32、42a～42d、52、62a、62b-絕緣層

23a、23b、33a、33b、43a～43d、63a～63c-導電層

具體實施方式

以下將參照隨附的圖式來描述本發明為達成目的所使用的技術手段與功效，而以下圖式所列舉的實施例僅為輔助說明，以利了解，但本發明的技術手段并不限于所列舉圖式。

請參閱圖2所示本發明所提供的導電膜結構的一實施例，該導電膜20包含一基板21，于該基板21的一面設有一多層膜結構，該多層膜結構是由兩層絕緣層22a、22b及兩層導電層23a、23b相互穿插堆棧而成，以絕緣層22a為底層，再依序疊設一導電層23a、一絕緣層22b及一導電層23b，使得該多層膜結構的一面為絕緣層22a，另一面為導電層23b，且該絕緣層22a與該基板21相互貼附，亦即該導電膜20的一面為基板21，另一面為導電層23b。該絕緣層22a、22b及導電層23a、23b透過繞卷(Roll?to?Roll)方式交互濺鍍于基板21，且該絕緣層22a、22b為不連續的薄膜，使得位于該絕緣層22a、22b相對兩面的導電層23a、23b可透過該絕緣層22a、22b的不連續部位相互接觸電性導通，其原理將詳述于后。