[發(fā)明專利]導(dǎo)電膜結(jié)構(gòu)

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810169575.0
• 申請(qǐng)日: 2008-10-08
• 公開（公告）號(hào): CN101714415A
• 公開（公告）日: 2010-05-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳逸書;林國(guó)森;李建鋒
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 勝華科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01B5/14
• 分類號(hào): H01B5/14;H01B1/08;B32B7/02;B32B9/04
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 王雪靜;逯長(zhǎng)明

1.一種導(dǎo)電膜結(jié)構(gòu)，其特征在于，包含：

一基板；

一多層膜結(jié)構(gòu)，該多層膜結(jié)構(gòu)設(shè)置于該基板的一面，該多層膜結(jié)構(gòu)包含至少兩層導(dǎo)電層及至少一層絕緣層，該絕緣層與該導(dǎo)電層相互穿插堆棧，且該絕緣層為不連續(xù)的薄膜，以供位于該絕緣層相對(duì)兩面的導(dǎo)電層透過(guò)該絕緣層的不連續(xù)部位相互接觸電性導(dǎo)通。

2.如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電膜結(jié)構(gòu)，其特征在于：其設(shè)有復(fù)數(shù)層導(dǎo)電層，以及與該復(fù)數(shù)層導(dǎo)電層數(shù)目相同的復(fù)數(shù)層絕緣層，以供該復(fù)數(shù)層絕緣層與該復(fù)數(shù)層導(dǎo)電層相互穿插堆棧形成一多層膜結(jié)構(gòu)，該多層膜結(jié)構(gòu)具有兩面，其中一面為絕緣層，另一面為導(dǎo)電層，且該多層膜結(jié)構(gòu)的絕緣層一面與該基板相互貼附。

3.如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電膜結(jié)構(gòu)，其特征在于：其設(shè)有復(fù)數(shù)層導(dǎo)電層，以及比該復(fù)數(shù)層導(dǎo)電層數(shù)目少一層的復(fù)數(shù)層絕緣層，以供該復(fù)數(shù)層絕緣層與該復(fù)數(shù)層導(dǎo)電層相互穿插堆棧形成一多層膜結(jié)構(gòu)，該多層膜結(jié)構(gòu)的兩面均為導(dǎo)電層，且該多層膜結(jié)構(gòu)的其中一面與該基板相互貼附。

4.如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電膜結(jié)構(gòu)，其特征在于：該基板由聚乙烯對(duì)苯二甲酸酯(PET，Polyethylene?Terephthalate)、玻璃、壓克力、聚碳酸酯(Polycarbonate，PC)或聚酰亞胺(PI，Polyimide)所制成。

5.如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電膜結(jié)構(gòu)，其特征在于：該導(dǎo)電層由氧化銦錫(ITO，Indium?Tin?Oxide)、氧化銦鋅(IZO，Indium?Zinc?Oxide)、氧化鋅鋁(AZO，Al-doped?ZnO)、氧化鋅(ZnO，Zinc?Oxide)或氧化錫(SnO，Tin?Oxide)所制成。

6.如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電膜結(jié)構(gòu)，其特征在于：各該導(dǎo)電層厚度為位于3nm～10nm的范圍內(nèi)。

7.如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電膜結(jié)構(gòu)，其特征在于：該絕緣層由二氧化硅(SiO₂)、二氧化鈦(TiO₂)、五氧化二鉭(Ta₂O₅)、二氧化錫(SnO₂)或三氧化二鋁(Al₂O₃)所制成。

8.如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電膜結(jié)構(gòu)，其特征在于：各該絕緣層厚度為位于0.2nm～2nm的范圍內(nèi)。

9.如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電膜結(jié)構(gòu)，其特征在于：該基板、導(dǎo)電層及絕緣層均具有透明性。

10.如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電膜結(jié)構(gòu)，其特征在于：其是透過(guò)繞卷(Roll?to?Roll)方式，將該導(dǎo)電層及絕緣層交互濺鍍于基板。

11.如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電膜結(jié)構(gòu)，其特征在于：該絕緣層是采用濺鍍鍍膜方式形成不連續(xù)薄膜。