[發明專利]非易失性半導體存儲裝置及其控制方法

有效

• 申請號: 200810169069.1
• 申請日: 2004-05-26
• 公開（公告）號: CN101383187A
• 公開（公告）日: 2009-03-11
• 發明（設計）人: 金田義宣
• 申請（專利權）人: 三洋電機株式會社
• 主分類號: G11C16/10
• 分類號: G11C16/10;G11C16/04;G11C16/24
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 李香蘭

1.一種非易失性半導體存儲裝置，包括：

多個位線；

多個字線；

多個非易失性存儲單元，該多個非易失性存儲單元配置在上述多個位線與多個字線的各個交點處，都具有浮置柵和控制柵；

行地址譯碼器，該行地址譯碼器從上述多個字線中選擇一根字線；

列地址譯碼器，該列地址譯碼器從上述多個位線中同時選擇一對位線；

差分放大器，該差分放大器對分別與上述列地址譯碼器所選擇的一對位線相連接的一對非易失性存儲單元向該一對位線輸出的單元電流的差電流所對應的電位差進行放大；以及

控制單元，該控制單元控制上述非易失性存儲單元，使上述多個非易失性存儲單元，在上述單元電流成為事先決定的值以上之前的時間內，由上述浮置柵向上述控制柵流過F-N溝道電流，來實施數據的擦除動作，而在上述擦除動作之后，使由上述列地址譯碼器選擇的一對非易失性存儲單元中的一個非易失性存儲單元開始數據的寫入動作，并在上述一對存儲單元的上述單元電流的差電流到達上述差分放大器不會誤動作的值的時刻，使寫入動作停止。

2.如權利要求1所述的非易失性半導體存儲裝置，其特征在于：上述非易失性存儲單元，包括：漏極、源極、形成在上述漏極與上述源極間的溝道、在上述溝道上局部隔著第1絕緣膜與上述源極重疊的浮置柵、以及局部隔著第2絕緣膜與上述浮置柵重疊而形成的控制柵，

上述控制單元，通過經上述第1絕緣膜向上述浮置柵注入電子，來實施數據的寫入動作，而通過使注入上述浮置柵中的電子經上述第2絕緣膜作為F-N溝道電流排到上述控制柵，來實施數據的擦除動作。

3.如權利要求1或2所述的非易失性半導體存儲裝置，其特征在于：上述多個非易失性存儲單元配置為相同方向，且具有相同的晶體管尺寸。

4.一種非易失性半導體存儲裝置，包括：

第1存儲單元陣列，該第1存儲單元陣列由配置在多個第1位線與多個字線的各個交點處且都具有浮置柵和控制柵的多個第1非易失性存儲單元所組成；

第2存儲單元陣列，該第2存儲單元陣列由配置在多個第2位線與多個字線的各個交點處且都具有浮置柵和控制柵的多個第2非易失性存儲單元所組成；

行地址譯碼器，該行地址譯碼器從上述多個字線中選擇一根字線；

列地址譯碼器，該列地址譯碼器從上述多個第1位線中選擇一根位線，同時從上述多個第2位線中選擇一根位線；

差分放大器，該差分放大器對分別與上述列地址譯碼器所選擇的一對位線相連接的一對非易失性存儲單元向該一對位線輸出的單元電流的差電流所對應的電位差進行放大；以及

控制單元，該控制單元控制上述非易失性存儲單元，使上述多個第1及第2非易失性存儲單元，在上述單元電流成為事先決定的值以上之前的時間內，由上述浮置柵向上述控制柵流過F-N溝道電流，來實施數據的擦除動作，而在上述擦除動作之后，使由上述列地址譯碼器選擇的一對非易失性存儲單元中的一個非易失性存儲單元開始數據的寫入動作，并在上述一對存儲單元的上述單元電流的差電流到達上述差分放大器不會誤動作的值的時刻，使寫入動作停止。

5.如權利要求4所述的非易失性半導體存儲裝置，其特征在于：上述第1及第2非易失性存儲單元，包括：漏極、源極、形成在上述漏極與上述源極間的溝道、在上述溝道上局部隔著第1絕緣膜與上述源極重疊的浮置柵、以及局部隔著第2絕緣膜與上述浮置柵重疊而形成的控制柵，

上述控制單元，通過經上述第1絕緣膜向上述浮置柵注入電子，來實施數據的寫入動作，而通過使注入上述浮置柵中的電子經上述第2絕緣膜作為F-N溝道電流排到上述控制柵，來實施數據的擦除動作。

6.如權利要求4或權利要求5所述的非易失性半導體存儲裝置，其特征在于：上述多個第1及第2非易失性存儲單元配置為相同方向，且具有相同的晶體管尺寸。