[發(fā)明專利]白光發(fā)光二極體的制作方法無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200810168793.2 | 申請(qǐng)日: | 2008-09-24 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101364549A | 公開(公告)日: | 2009-02-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李克新;孫增保 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 阿爾發(fā)光子科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/50 | 分類號(hào): | H01L21/50;H01L25/075 |
| 代理公司: | 吉林長(zhǎng)春新紀(jì)元專利代理有限責(zé)任公司 | 代理人: | 單兆全 |
| 地址: | 臺(tái)灣省*** | 國(guó)省代碼: | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 白光 發(fā)光 二極體 制作方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及機(jī)電類,特別涉及一種白光發(fā)光二極體的制作方法。
背景技術(shù)
眾所周知,白光為多種顏色的混合光,可被人類視覺所感受為白光者,且至少包括兩種以上波長(zhǎng)的混合光;例如:當(dāng)人眼同時(shí)受紅、藍(lán)及綠光的刺激時(shí),或同時(shí)受到藍(lán)光或黃光的刺激時(shí),均可感受為白光,因此,可依照此原理,制作可發(fā)出白光的半導(dǎo)體發(fā)光裝置,而常用的白光半導(dǎo)體發(fā)光裝置的制作方式如下:
第一種方式是使用以磷化鋁鎵銦(AlInGaP)氮化鎵銦(InGaN)與磷化鎵(GaP)為材質(zhì)三顆紅藍(lán)綠發(fā)光二極體,控制通過各發(fā)光二極體的電流,而使其分別發(fā)出紅、綠及藍(lán)光;將此三顆發(fā)光二極體晶粒配置在同一個(gè)燈泡(lamp)中,并利用透鏡將三種顏色的光加以混合而產(chǎn)生白光。如附圖2所示,常用形成白光單元的示意圖,在基座10上可安置紅色發(fā)光二極體LR、綠色發(fā)光二極體LG及藍(lán)光發(fā)光二極體LB,并在上面覆蓋封閉膠體11以做保護(hù)用途。如附圖1所示,常用的白光的光譜圖,可看出紅色發(fā)光二極體LR、綠色發(fā)光二極體LG及藍(lán)色發(fā)光二極體LB發(fā)射光譜中心分隔且并非寬廣分布;由于白光是400~720nm間連續(xù)分布的光譜形成,因此該常用白光發(fā)光二極體色彩飽和度較低。雖然人類的眼睛可忽略此現(xiàn)象而只看白色光,但在一些精度較高的光學(xué)偵檢器的感測(cè)下,例如,攝影機(jī)或相機(jī)等,其演色性(color?rendering?property)在實(shí)質(zhì)上仍偏低,再者當(dāng)不同光色發(fā)光二極體其中之一發(fā)生故障時(shí),將無法得到正常的白光,且總體而言發(fā)光效率差,如此,其整體的亮度則被降低,再者演色性雖然高,但色彩飽和度較低。
第二種方式為1996年日本日亞化學(xué)(Nichia?Chemical)公司所發(fā)展出的技術(shù),其是以氮化銦鎵藍(lán)光發(fā)光二極體配合受激發(fā)可發(fā)出黃光的釔鋁石榴石型熒光粉,來制成一白光光源;由于此種方式僅需使用一組發(fā)光二極體晶片,可大幅地降低制造成本,如附圖3所示,為另一種常用形成白光單元的示意圖,在基材10上可安置藍(lán)色發(fā)光二極體LB,并在上面覆蓋黃色熒光體PY,以吸收藍(lán)色發(fā)光二極體LB并發(fā)出黃光,并與藍(lán)光混合成為白光,現(xiàn)今其所搭配的熒光粉調(diào)制技術(shù)已臻成熟,故已有商品呈現(xiàn),雖然其可產(chǎn)生高亮度的白光,但此種演色性更差,急需加以改進(jìn)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種白光發(fā)光二極體的制作方法,解決了常用方法存在的發(fā)光效率差,色彩飽和度低及演色性差等問題。
本發(fā)明的技術(shù)方案是:包含基材;至少一個(gè)以上具有紅、藍(lán)、綠三基色混合的白光發(fā)光單元位于基材上,且連接電極至具有紅、藍(lán)、綠三基色混合的該白光發(fā)光單元,在該白光發(fā)光單元表面涂覆有黃色熒光體,藉此白光發(fā)光單元所產(chǎn)生的白光,并激發(fā)黃色熒光體使產(chǎn)生高亮度的白光光源;
其中,黃色熒光體為YAG:Ce、TbAG:Ce、矽酸鹽(Sr3SiO5:Eu)或氮化物、氮氧化物(BaSi7N10:Eu、(Ca,Sr,Ba)Si2N2O2)所構(gòu)成;
黃色熒光體為YAG,其致活物也可單獨(dú)選擇Pr或Dy,或Pr與Dy的組合;
黃色熒光體為TbAG,其致活物也可單獨(dú)選擇Pr或Dy,或Pr與Dy的組合;
白光發(fā)光單元是由紅綠藍(lán)色晶片、藍(lán)綠色晶片與紅熒光體或藍(lán)色晶片與紅綠熒光體其中之一;
紅色晶片波長(zhǎng)介于625nm~650nm;
綠色晶片波長(zhǎng)介于515nm~550nm;
藍(lán)色晶片波長(zhǎng)介于450nm~475nm;
紅熒光體采用SrS:Eu,CaS:Eu或Y2O2S:Eu、Gd其中之一;
綠熒光體采用ZnS:(Cu,Al),Ca2MgSi2O2:CI或SrCa2S4:Eu其中之一。
本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于:不僅可兼顧高發(fā)光亮度和極佳演色性的白光,且色采飽和度更佳,呈現(xiàn)出更廣的色域范圍,實(shí)用性強(qiáng)。
附圖說明:
圖1為常用白光的光譜圖;
圖2為常用形成白光單元的示意圖;
圖3為另一常用形成白光單元的示意圖;
圖4為本發(fā)明的形成白光單元的示意圖;
圖5為本發(fā)明的光譜圖之一;
圖6為本發(fā)明的光譜圖之二;
圖7為本發(fā)明的另一形成白光單元的示意圖;
圖8為本發(fā)明的另一光譜圖之一;
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





