[發(fā)明專利]白光發(fā)光二極體的制作方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810168793.2 | 申請日: | 2008-09-24 |
| 公開(公告)號: | CN101364549A | 公開(公告)日: | 2009-02-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李克新;孫增保 | 申請(專利權(quán))人: | 阿爾發(fā)光子科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/50 | 分類號: | H01L21/50;H01L25/075 |
| 代理公司: | 吉林長春新紀(jì)元專利代理有限責(zé)任公司 | 代理人: | 單兆全 |
| 地址: | 臺灣省*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 白光 發(fā)光 二極體 制作方法 | ||
1.一種白光發(fā)光二極體的制作方法,其特征在于:包含基材;至少一個(gè)以上具有紅、藍(lán)、綠三基色混合的白光發(fā)光單元位于基材上,且連接電極至具有紅、藍(lán)、綠三基色混合的該白光發(fā)光單元,在該白光發(fā)光單元表面涂覆有黃色熒光體,藉此白光發(fā)光單元所產(chǎn)生的白光,并激發(fā)黃色熒光體而產(chǎn)生高亮度的白光光源。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的白光發(fā)光二極體的制作方法,其特征在于:所述的黃色熒光體為YAG:Ce、TbAG:Ce、矽酸鹽(Sr3SiO5:Eu)或氮化物、氮氧化物(BaSi7N10:Eu、(Ca,Sr,Ba)Si2N2O2)所構(gòu)成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的白光發(fā)光二極體的制作方法,其特征在于:所述的黃色熒光體為YAG,其致活物也可單獨(dú)選擇Pr或Dy,或Pr與Dy的組合。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的白光發(fā)光二極體的制作方法,其特征在于:所述的黃色熒光體為TbAG,其致活物也可單獨(dú)選擇Pr或Dy,或Pr與Dy的組合。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的白光發(fā)光二極體的制作方法,其特征在于:所述的白光發(fā)光單元是由紅綠藍(lán)色晶片、藍(lán)綠色晶片與紅熒光體或藍(lán)色晶片與紅綠熒光體其中之一。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的白光發(fā)光二極體的制作方法,其特征在于:所述的紅色晶片波長介于625nm~650nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的白光發(fā)光二極體的制作方法,其特征在于:所述的綠色晶片波長介于515nm~550nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的白光發(fā)光二極體的制作方法,其特征在于:所述的藍(lán)色晶片波長介于450nm~475nm。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的白光發(fā)光二極體的制作方法,其特征在于:所述的紅熒光體采用SrS:Eu,CaS:Eu或Y2O2S:Eu、Gd其中之一。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的白光發(fā)光二極體的制作方法,其特征在于:所述的綠熒光體采用ZnS:(Cu,Al),Ca2MgSi2O2:CI或SrCa2S4:Eu其中之一。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





